科晶五靶頭等離子射頻磁控濺射儀

型號：VTC-5RF

產(chǎn)品概述：

VTC-5RF是一款5靶頭的等離子射頻磁控濺射儀，針對于高通量MGI（材料基因組計劃）薄膜的研究。特別適合用于探索固態(tài)電解質材料，通過5種元素，按16種不同配比組合。

主要特點：

• 多種濺射靶頭及電源可選，自由組合，具體請致電我公司銷售部。 
• 根據(jù)所使用的電源（DC或RF），可以沉積金屬或非金屬材料。 
• 一個旋轉開關可以依次激活濺射頭，可在真空或等離子體環(huán)境中自動切換，不影響真空度。 
• 可以安裝五種不同材料的靶材，每個靶頭可單獨設置濺射時間功率等參數(shù)，用于生長不同成分的薄膜。 
• 可選購多個射頻電源，同一時間濺射多個靶材。 
• 可選配設備控制軟件，用電腦控制濺射的所有參數(shù)。

濺射腔體：

• 真空腔體采用304不銹鋼制作 
• 腔體內(nèi)部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H  (105 L) 
• 鉸鏈式腔門，直徑為Φ380mm,上面安裝有Φ150mm的玻璃窗口

濺射頭&樣品臺：

• 5個1英寸的磁控濺射頭，帶有水冷夾層
• 濺射腔體內(nèi)安裝有電動擋板 
• 濺射距離:濺射距離可調
• 濺射角度:濺射角度可調 
• 實驗時，需要將靶材和靶材的銅墊片用導電銀漿粘合粘合，（可在本公司購買導電銀漿） 
• 可以單獨訂購RF連接線作為備用
• 設備需要一臺水冷機，用于靶頭冷卻

樣品臺：

• 直徑為150mm的樣品臺，上面覆蓋一旋轉臺，帶有10mm的孔洞，每次露出一個樣品接收濺射成膜。 
• 樣品臺尺寸：Φ150mm,可通過程序控制來旋轉，可制作16種不同組分的薄膜 
• 樣品臺可以加熱，高溫度可達600℃（根據(jù)配置不同可能會有變動，具體請咨詢銷售部）

真空系統(tǒng)：

• 安裝有KF40真空接口 
• 真空度：4.0e-5Torr(分子泵）（參考值，具體請點擊） 
• 可在本公司選購各種真空泵

進氣：

• 設備上配1/4英寸進氣口方便連接氣瓶 
• 設備前面板上裝有一氣流調節(jié)旋鈕，方便調節(jié)氣流

靶材：

• 所要求靶材尺寸：直徑為25mm,大厚度3mm 
• 可在本公司選購各種靶材

科晶五靶頭等離子射頻磁控濺射儀

型號：VTC-5RF

薄膜測厚儀（可選）：可在本公司選購薄膜測厚儀安裝在濺射儀上

凈重：60Kg（不包括泵)

質量認證：CE認證

使用提示：

• 此設備為DIY設備，參數(shù)變化較大購買前請務必電話仔細溝通
• 為了得到較好的薄膜質量，必須通入高純氣體（建議> 5N） 
• 在濺射鍍膜前，確保濺射頭、靶材、基片和樣品臺的潔凈 
• 要達到薄膜與基底良好結合，請在濺射前清潔基材表面 
• 超聲波清洗（詳細參數(shù)點擊下面圖片）：（1）丙酮超聲（2）異丙醇超聲-去除油脂（3）吹氮氣干燥（4）真空烘箱除去水分。 
• 等離子清洗（詳細參數(shù)點擊下面圖片）：可表面粗糙化，可激活表面化學鍵，可祛除額外的污染物。 
• 制造一個薄的緩沖層（5納米左右）：如Gr，Ti，Mo，Ta，可以應用于改善金屬和合金的附著力。

警告：

• 注意：產(chǎn)品內(nèi)部安裝有高壓元件，禁止私自拆裝，帶電移動機體。 
• 氣瓶上應安裝減壓閥（設備標配不包括），保證氣體的輸出壓力限制在0.02兆帕以下，以安全使用。
• 濺射頭連接到高電壓。為了安全，操作者必須在關閉設備前裝樣和更換靶