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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>薄膜生長設備>原子層沉積設備>ALD R-200 PICOSUN原子層沉積系統ALD R-200基礎版

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ALD R-200 PICOSUN原子層沉積系統ALD R-200基礎版

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公司自成立以來就一直專注于半導體、微組裝和電子裝配等領域的設備集成和技術服務;目前公司擁有一支在半導體制造、微組裝及電子裝配等領域經驗豐富的專業技術團隊,專業服務于混合電路、光電模塊、MEMS、先進封裝(TSV、Fan-out等)、化合物半導體、微波器件、功率器件、紅外探測、聲波器件、集成電路、分立器件、微納等領域。我們不僅能為客戶提供整套性能可靠的設備,還能根據客戶的實際生產需求制訂可行的工藝技術方案。
目前亞科電子已與眾多微電子封裝和半導體制造設備企業建立了良好的合作關系(如:BRUKER、EVG、TRYMAX、CAMTEK、CENTROTHERM、SENTECH、ENGIS、ADT、SONOSCAN、ASYMTEK、MARCH、PANASONIC、HYBOND、OKI、KEKO等),為向客戶提供先進的設備和專業的技術服務打下了堅實基礎。

 

半導體設備,微組裝設備,LTCC設備,化工檢測設備

產地類別 進口 價格區間 100萬-200萬
應用領域 電子/電池,航空航天

PICOSUN原子層沉積系統ALD R-200基礎版

PICOSUN™ ALD R-200 Standard

 

名稱:原子層沉積系統  產地:芬蘭
 

Picosun簡介

Picosun是yi家公司,Picosun的總部位于芬蘭的Espoo,其生產設施位于芬蘭的MasalaKirkkonummi)。PICOSUN®ALD設備專為高產量和高產量而設計,并且不斷發展以提高效率。Picosun適應性強其客戶包括   大的電子制造商,小型的創新型挑戰者以及  先的大學。 Picosun的組織機構和種類繁多的ALD解決方案都可以滿足每個客戶的需求。PICOSUN®研發工具具有du特的內置可擴展性,可確保將研究結果平穩過渡到大批量工業制造中,而不會出現技術差距。Picosun的熱情在于創新。當您想與設備制造商共同創建定制的ALD解決方案,從而引  行業發展時,Picosun是您的合作伙伴。

Picosundu特的突破性ALD專業知識可追溯到ALD技術本身的誕生。于1974年在芬蘭發明了ALD方法,并在工業上獲得了  。在高質量ALD系統設計方面擁有豐富的經驗。高度敬業的Picosun人員擁有的ALD經驗,并且為ALD的許多  做出了貢獻。

    PICOSUN™ R系列設備提供高質量ALD薄膜的沉積技術,并在各種各樣的襯底上都表現ji佳的均勻性,包括 具挑戰性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們為液體、氣體和固體化學物提供的更高級的,易更換的前驅源系統,能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度 小的薄膜層。在 基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個du立的,*分離的源入口匹配多種類型的前驅源。PICOSUN™ R系列du特的擴展性使ALD工藝可以從研究環境直接過渡到生產環境的PICOSUN™ P系列ALD系統。由于研發型與生產型PICOSUN™反應腔室核心設計特點都是相同的,這消除了實驗室與制造車間之間的鴻溝。對大學來說,突破創新的技術轉化到生產中,就會吸引到企業投資。

 

 

PICOSUN®R-200標準

PICOSUN®R-200標準ALD系統適用于數十種應用的研發,例如IC組件,MEMS器件,顯示器,LED,激光和3D對象,例如透鏡,光學器件,珠寶,硬幣和醫療植入物。熱ALD研究工具的市場領dao者。它已成為創新驅動的公司和研究機構的shou選工具。

敏捷的設計實現了 高質量的ALD薄膜沉積以及系統的 終靈活性,可以滿足未來的需求和應用。  的熱壁設計具有*du立的入口和儀器,可實現無顆粒工藝,適用于晶圓,3D對象和所有納米級特征上的多種材料。得益于我們專有的Picoflow™技術,即使在 具挑戰性的通孔,超高長寬比和納米顆粒樣品上也可以實現出色的均勻性。 PICOSUN®R-200 Standard系統配備了功能強大且易于更換的液態,氣態和固態化學物質前體源。與手套箱,粉末室和各種原位分析系統集成,無論您現在的研究領域是什么,或以后可能成為什么樣的研究領域,都可以進行高效,靈活的研究,并獲得良好的結果。

技術指標

 

襯底尺寸和類型

50 – 200 mm /單片

 大可沉積直徑150 mm基片,豎直放置,10-25片/批次(根據工藝)

156 mm x 156 mm 太陽能硅片

3D 復雜表面襯底(使用Showerhead噴灑淋浴模式效果更佳)

粉末與顆粒(配備擴散增強器)

多孔,通孔,高深寬比(HAR)樣品

工藝溫度

50 – 500 °C, 可選更高溫度(真空腔體外壁不用任何冷卻方式即可保持溫度低于60 °C)

基片傳送選件

氣動升降(手動裝載)

預真空室安裝磁力操作機械手(Load lock )

前驅體

液態、固態、氣態、臭氧源

4根du立源管線, 多加載6個前驅體源

對蒸汽壓低的前驅體(1mbar~10mbar),用氮氣等載氣dao入前驅體瓶內引出

重量

350kg

尺寸( W x H x D))

取決于選件

 小146 cm x 146 cm x 84 cm

 大189 cm x 206 cm x 111 cm

選件

PICOFLOW™擴散增強器,集成橢偏儀,QCM, RGA,N2發生器,尾氣處理器,定制設計,手套箱集

成(用于惰性氣體下裝載)。

驗收標準

標準設備驗收標準為 Al2O3 工藝

 

 

應用領域

客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設備在150mm和200mm(6”和8”)晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數據。

 

材料

非均勻性(1σ)

AI2O3 (batch)

0.13%

SiO2 (batch)

0.77%

TiO2

0.28%

HfO2

0.47%

ZnO

0.94%

Ta2O5

1.00%

TiN

1.10%

CeO2

1.52%

Pt

3.41%

 



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