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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>組裝與封裝設(shè)備>芯片開封機(jī)>ZG SOI單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片

ZG SOI單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片

參考價(jià) 9888
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 四川梓冠光電科技有限公司
  • 品牌 梓冠
  • 型號(hào) ZG
  • 產(chǎn)地 經(jīng)開區(qū)電子制造產(chǎn)業(yè)園16棟3樓
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2025/5/10 14:35:16
  • 訪問次數(shù) 1667

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   四川梓冠光電科技有限公司成立于2015年8月,位于中國科技城——綿陽。主要致力于光通信設(shè)備和光通訊芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售;是一家擁有自主研發(fā)能力及規(guī)模性量產(chǎn)能力的光通信高新技術(shù)企業(yè)。

以前瞻目光勾勒光通訊信息產(chǎn)業(yè)新藍(lán)圖,四川梓冠光電科技有限公司致力于光通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,是一家集研究、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高科技企業(yè)。秉承用創(chuàng)新的方法和工匠的精神,突現(xiàn)光纖相關(guān)模塊及器件的升級(jí)、迭代,從服務(wù)中國起步,業(yè)務(wù)觸及全球。

梓冠光電自成立以來,持續(xù)投入研發(fā),吸納通信行業(yè)技術(shù)人才,其中博士占比人數(shù)5.7%

本科占比人數(shù)22.8%。公司產(chǎn)品日漸趨于多元化,不僅擁有行業(yè)水平的光開關(guān)、光衰減器、光纖延遲線、硅基系列光芯片、光纖合束器、MEMS光開關(guān)、高速光探測器、硅基高速器件、脈沖光纖激光器、飛秒光纖激光器、半導(dǎo)體光纖激光器及光路保護(hù)設(shè)備(OXC)等產(chǎn)品。公司還為激光雷達(dá)系統(tǒng)、量子通訊系統(tǒng)、激光聚變成像傳輸系統(tǒng)等提供核心的高精端光器件;

其中光纖延遲器被省經(jīng)信委評(píng)定為高水平。產(chǎn)品技術(shù)獲得多項(xiàng)認(rèn)證,其中發(fā)明10余項(xiàng),外觀,軟著,實(shí)用新型等共20余項(xiàng)。

20247月成立西安技術(shù)中心,主要針對微波射頻、超快光纖激光器,測風(fēng)激光器雷達(dá),激光測距雷達(dá),有害氣體檢測激光系統(tǒng)等產(chǎn)品進(jìn)行研發(fā)生產(chǎn)。

目前,公司已與華為、中航、中電、中物院、中科院、高校、航天等企業(yè)、單位達(dá)成長期穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作;在全體同仁共同努力下斬獲幾十余項(xiàng)發(fā)明,經(jīng)開區(qū)優(yōu)秀知識(shí)產(chǎn)權(quán)企業(yè),榮獲國家高新技術(shù)企業(yè)等稱號(hào)。




延遲線、光開關(guān)、光衰減器、光纖激光器、光源、光纖放大器、光探測器、WDM準(zhǔn)直器、光隔離器、環(huán)形器(三端口、四端口)、偏振分束器/合束器、起偏器、耦合器、單纖/雙纖準(zhǔn)直器、激光準(zhǔn)直器、光纖反射鏡、光纖旋轉(zhuǎn)器、偏振控制器(三環(huán)、擠壓式)、光柵、波分復(fù)用器(CWDM/DWDM)等

硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片

〖簡介Introduction〗

單片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù),是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu),芯片集成時(shí)延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路,延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下,最大總時(shí)延量 1022ps;延時(shí)精度 0.5ps,片內(nèi)單級(jí)延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit。相比于傳統(tǒng)采用微波傳輸線的電時(shí)延芯片,光時(shí)延器可以適用任意的微波和毫米波頻段,具有極低的串?dāng)_非目標(biāo)時(shí)延信號(hào)消光比。最大時(shí)延 1ns 的 9bit 可調(diào)光延時(shí)芯片尺寸小至 2cm×1.5cm,大幅度減小系統(tǒng)體積;由于光載波頻率相對于微波信號(hào)大至 4 個(gè)數(shù)量級(jí)的頻率比,光子集成的時(shí)延器芯片具有覆蓋從米波到毫米波全頻段的信號(hào)處理能力,適合各類超寬帶相控陣的波束合成應(yīng)用。

〖特性Features

n 高速切換(100~200ns)

n 高延時(shí)精度(0.5ps 典型值,0.2ps 可達(dá))

n 超小尺寸

n 超寬帶工作

n 全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強(qiáng)

n 大時(shí)延范圍(~2ns 可達(dá))

n 高功率耐受度( 23dBm 典型值)


應(yīng)用Applications〗

n 光控相控陣系統(tǒng)、超寬帶光域信號(hào)處理

主要性能指標(biāo) Specifications

性能指標(biāo)/Parameter

單位/Unit

典型值/Typ.

備注/Notes

工作波長/Operationwavelength

nm

1530-1570


延時(shí)位數(shù)/Delay bits

/

9

可定制/Can be customized

最小延時(shí)步進(jìn)/Min.step-delay

ps

2

可定制/Can be customized

可調(diào)節(jié)最大延時(shí)量/Adjustable max.delay

ps

1022


延時(shí)精度

ps

±0.5

16ps 延時(shí)量

±1

18~64ps 延時(shí)量

±2

66~512ps 延時(shí)量

±3

514~1022ps 延時(shí)量

延時(shí)切換時(shí)間/Delay switching time

ns

200


插入損耗/Insertion loss

dB

11

13dB max

各延時(shí)態(tài)損耗差異/Delay state loss difference

dB

±1


耐受光功率

dBm

23

26dBm max

波損耗/Return loss

dB

45


芯片尺寸/Chip dimension

mm

20×15×0.7



















SOI單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片

SOI單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片




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