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化工儀器網>產品展廳>半導體行業(yè)專用儀器>薄膜生長設備>原子層沉積設備>ALD-150LE™ 原子層沉積ALD

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ALD-150LE™ 原子層沉積ALD

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深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術服務的高新技術企業(yè)。

致力于提供半導體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設備、半導體光電測試儀表及相關儀器裝備維護、保養(yǎng)、售后技術支持及實驗室整體服務。

公司目前已授實用新型權利 29 項,軟件著作權 14 項,是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。










冷熱臺,快速退火爐,光刻機,納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

價格區(qū)間 面議 應用領域 化工

Kurt J. Lesker Company (KJLC) ALD150LE™是我們但極其靈活的原子層沉積 (ALD) 系統(tǒng),專為入門級到中級用戶而設計。該ALD150LE™配置為純熱原子層沉積,工藝室設計促進了均勻的母離子分散和輸送。加熱和溫度控制進一步增強了系統(tǒng)性能。總體而言,該ALD150LE™在緊湊的設計中提供了的靈活性和性能,而不會犧牲可維護性。

該ALD150LE™配置為純熱原子層沉積,我們的垂直流設計可實現(xiàn)分離、均勻的前驅體輸送,同時降低背景雜質水平,從而提高薄膜質量。為避免不必要的材料在輸送通道內積聚和顆粒形成,有兩個獨立的腔室入口可用于前驅體分離。例如,可以使用單獨的入口來分離金屬有機前體和共反應物,以防止在輸送管線和閥門中沉積。

  • 兩個獨立的進樣口,用于前驅體輸送,可防止輸送通道中不必要的積聚

  • 開放式裝載室經過精心設計,可最大限度地減少由于密封脫氣和滲透引起的背景雜質

  • 獨立的基板加熱器平臺和外腔殼體,可實現(xiàn)出色的溫度控制和均勻性

  • 304L不銹鋼結構

  • 可訪問、低維護的設計

ALD150LE™開路負載設計允許在樣品引入過程中將基物(直徑最大為 150 mm)直接放置在基板加熱器臺上。在隨后的原子層沉積(ALD)處理過程中,集中式母離子輸送和泵送建立了一個屏障,將下游腔室密封的雜質擋在反應區(qū)之外。彈性體腔密封件在下游的戰(zhàn)略定位可使雜質(由于密封件釋氣和滲透)遠離基材表面,從而提高 ALD 薄膜質量。特別是,這是在開放式負載室設計中獲得高質量氮化物膜的一個重要特征。





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