化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專(zhuān)用儀器>薄膜生長(zhǎng)設(shè)備>化學(xué)氣相沉積設(shè)備>ICP-500D 薄膜沉積CVD
ICP-500D 薄膜沉積CVD
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱(chēng) 北京亞科晨旭科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) ICP-500D
- 產(chǎn)地 德
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/10/12 15:04:52
- 訪問(wèn)次數(shù) 336
產(chǎn)品標(biāo)簽
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SENTECH ICP等離子沉積系統(tǒng)-SI 500D
是主流的半導(dǎo)體設(shè)備商，研發(fā)、制造和銷(xiāo)售良好的薄膜測(cè)量?jī)x器（反射儀、橢偏儀、光譜橢偏儀）和等離子工藝設(shè)備（等離子刻蝕機(jī)、等離子沉積系統(tǒng)、用戶(hù)定制系統(tǒng)）。
SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備，利用ICP高密度等離子源來(lái)沉積電介質(zhì)薄膜。可在極低溫度下(< 100ºC)沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以實(shí)現(xiàn)沉積薄膜厚度、折射率、應(yīng)力的連續(xù)調(diào)節(jié)。
SI 500 D主要特點(diǎn)：
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適用于8寸以及以下晶片
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低溫沉積高質(zhì)量電介質(zhì)膜：80°C~350°C
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高速率沉積
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低損傷
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薄膜特性 (厚度、折射率、應(yīng)力) 連續(xù)可調(diào)
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平板三螺旋天線式PTSA等離子源 (Planar Triple Spiral Antenna)
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SENTECH高級(jí)等離子設(shè)備操作軟件
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穿墻式安裝方式
系統(tǒng)配置：
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