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晶圓劃片機 MR200
手動劃線可無誤切割
結構化硅晶片的制造
晶圓劃片機 MR200的設置可為結構化硅晶片切割提供高精度劃線。MR 200是*的工具，特別是對于半導體技術中的REM制備。MR 200還適用于少量芯片的單芯片化，例如在實驗室中使用。設備基本設置為劃線參數的調整提供了多種選擇。高質量的變焦光學元件可將放大倍率從8倍無級調節到40倍。光學和機械學可以通過輔助模塊進行擴展，以提高效率和操作

將基板放在托盤上后，將顯微鏡聚焦在晶圓表面上。通過手動將工作臺驅動到x和y方向，可以將劃線調整為樣本上的參考標記或結構。高質量的變焦顯微鏡可在樣品表面的總覽和細節顯示之間進行快速切換。使用x / y十字架工作臺的微調，可以非常無誤地定位晶片。劃線鉆石的接觸點可以調節。目鏡的十字準線或監視器上的十字準線定義了劃線鉆石的接觸點。劃線鉆石由腳踏開關（升高/降低）控制，因此可以用雙手控制劃線運動。如果定義了劃線，則通過腳踏開關降低鉆石。為了劃片，手動移動整個托盤。相機圖像在計算機屏幕上。視頻圖像可以保存。圖片顯示了光學元件的不同放大倍率，它們在目鏡中顯示為8x，16x，32x和40x。

特點：

•擠壓型材的基本框架

•尺寸（B×T×H）：400×800×600mm

•重量：20kg

•電動劃線（咨詢：氣動劃線，以提高劃線力）

•通過腳踏開關控制劃線鉆石（下降，抬起）

•可調節的劃線能力（10 g…120 g，其他可詢價）

•劃線槽寬度 5 µm…10 µm（取決于劃線力度和材料）

•下降速度可調

•劃線鉆石高度可調

•劃線金剛石工作角度可調

•通過真空提取劃線顆粒

•高質量的變焦顯微鏡，可無級調節放大倍率，范圍為8×…40×

•十字形目鏡，用于根據邊緣，結構和參考標記等無誤調整劃線

•在放大10倍時，光學分辨率更好10 µm

•涂有特氟隆涂層的真空晶片托盤，安裝在x / y平臺上，直徑200 mm（可詢問100 mm）

•通過千分尺螺絲微調晶片夾頭的角度（10 µm，分辨率= 0.006°）

•托盤無誤旋轉90°，無需關閉真空

•可調節擋塊，使卡盤旋轉90°

•手動x / y平臺，行程（200×200）mm，用于劃刻運動和粗略定位

•25毫米測微頭螺釘，可橫向于劃線方向無誤定位

•10毫米測微螺釘，可在劃線方向上無誤定位

•帶亮度控制和電源的LED環形燈

•小樣本尺寸約：（10×10）mm

•晶圓厚度：硅晶圓的所有標準厚度

•材料：硅，砷化鎵（GaAs）（其他材料如有查詢）

•視頻系統（也帶有圖像處理軟件）作為附件提供

光學

高質量的變焦光學元件可將放大倍率從8倍調整為40倍。顯微鏡還提供許多附加功能附件。

產品參數：