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為你的應(yīng)用選擇一個(gè)電源模塊
點(diǎn)擊次數(shù)：1911 發(fā)布時(shí)間：2010-9-1
經(jīng)營(yíng)：ASCO 歐姆龍 力士樂(lè) SMC電磁閥 FESTO汽缸
如今的許多電信、數(shù)據(jù)通信、電子數(shù)據(jù)處理和無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)都在利用分布式電源架構(gòu)供電。這些復(fù)雜的系統(tǒng)需要電源管理解決方案，以便能夠監(jiān)測(cè)和控制電源，使之達(dá)到非常的參數(shù)。為了達(dá)到這樣的性能水平，大多數(shù)設(shè)計(jì)都使用了FPGA、微處理器、微控制器或內(nèi)存塊（memory block）。
這種設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度給服務(wù)于這些通信基礎(chǔ)設(shè)施公司的應(yīng)用設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了沉重的負(fù)擔(dān)。他們的選擇很簡(jiǎn)單：要么進(jìn)行投資以顯著改善其內(nèi)部的電源管理能力，要么依靠外部設(shè)計(jì)公司的專長(zhǎng)。這些選擇都是不太可取的。
zui近，出現(xiàn)了一個(gè)新的選擇：負(fù)載點(diǎn)DC/DC電源模塊。這些模塊結(jié)合了實(shí)現(xiàn)即插即用（plug-and-play）解決方案所需的大部分或全部組件，可以取代多達(dá)40個(gè)不同的組件。這樣就簡(jiǎn)化了集成并加速了設(shè)計(jì)，同時(shí)可減少電源管理部分的占板空間。
從這些模塊獲得你需要的性能，同時(shí)滿足你的預(yù)算和空間要求的關(guān)鍵在于，需要一家掌握不同可用技術(shù)的公司。
zui傳統(tǒng)和zui常見(jiàn)的非隔離式DC/DC電源模塊仍是單列直插（SiP）封裝，見(jiàn)圖1。這些開(kāi)放框架的解決方案的確在減少設(shè)計(jì)復(fù)雜性方面取得了進(jìn)展。然而，zui簡(jiǎn)單的是在印刷電路板上使用標(biāo)準(zhǔn)封裝的組件。這些組件是典型的低頻率設(shè)計(jì)（大約為300kHz），其功率密度不是恒定的。因此，其尺寸使之難以為許多空間受限的應(yīng)用所接受。下一代電源模塊需要在減少的外形規(guī)格（form factor）方面取得重大進(jìn)展，以提高設(shè)計(jì)的靈活性。
圖1：傳統(tǒng)SIP開(kāi)放式模塊
為了實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)人員需要的更高功率密度，電源管理供應(yīng)商必須推高開(kāi)關(guān)頻率，以減小能源存儲(chǔ)單元的尺寸。但是，利用標(biāo)準(zhǔn)組件增加開(kāi)關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致低效率，這主要是由于MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗。這推動(dòng)著業(yè)界尋找成本有效地降低DC/DC模塊中MOSFET的驅(qū)動(dòng)和電源路徑寄生阻抗的方法，生產(chǎn)與單個(gè)集成電路尺寸相仿的成型模塊。
ISL8201M DC/DC模塊
Intersil的ISL8201M模塊集成了一個(gè)完整的DC/DC轉(zhuǎn)換器所需的大多數(shù)組件，包括PWM控制器、MOSFET和電感器。其輸入電壓范圍為3-20V，電流能力為10A。它可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)SIP DC/DC模塊高得多的開(kāi)關(guān)頻率，通過(guò)不使用MOSFET封裝并將這些組件共同封裝在一個(gè)緊湊的15×15×3.5mm的QFN封裝中（見(jiàn)圖2），實(shí)現(xiàn)了的效率和熱性能。ISL8201M是一個(gè)系列模塊中的*個(gè)產(chǎn)品，尺寸和性能的進(jìn)一步改善正在開(kāi)發(fā)當(dāng)中。
圖2：ISL8201M概念封裝圖
從效率的角度看，ISL8201M實(shí)現(xiàn)了的性能。此外，QFN封裝優(yōu)良的熱性能可以實(shí)現(xiàn)非常緊湊的設(shè)計(jì)，而不需要散熱片。這使得ISL8201M達(dá)到了大約200W/in3的功率密度，約為傳統(tǒng)開(kāi)放式框架模塊的4倍。
圖3：ISL8201M效率曲線（Vin = 12V）。
當(dāng)評(píng)估一個(gè)特定應(yīng)用的解決方案時(shí)，尺寸和成本是兩個(gè)主要的考慮因素。但是，在終端應(yīng)用中其他因素可能同樣重要或更為重要。其中一些額外考慮因素正在研究。