（1）VPD 溶液的分析

氣相分解- 電感耦合等離子體質譜聯用（VPD-ICP-MS）法，具有業界所需的檢測限和穩定性，測試結果快速可靠，廣泛應用于硅晶片的測試，硅晶片的純度一般要求在99.9999999%以上。

純度要求如此之高，這就到了ICP-MS 大顯身手的時候了！

VPD 樣品中含有高含量的酸和硅基體，并且目標檢測元素的含量通常也非常低，由于基體溶液會產生大量的多原子離子干擾（如表一所示），所以說VPD 溶液的測試是挑戰性的。為了得到更加的結果，干擾的去除是非常必要的，比如使用串接式等ICP-MS，高分辨ICP-MS 和使用碰撞反應池等技術。

（2）半導體級異丙醇的分析

異丙醇（IPA）用清洗硅片的溶劑時，會與硅片表面直接接觸，因此，必須控制其痕量金屬雜質濃度。采用靈敏高的ICP-MS 技術直接分析IPA 可為IPA 中超痕量分析物（ng ? L-1）提供有用的控制，并避免由樣品制備引起的污染。

ICAP TQs ICP-MS 結合了三重四極桿和冷等離子體技術，該高度靈活的方法實現了半導體行業分析所需的超痕量背景等效濃度（BEC）和檢測限（LOD）。

校正數據

圖 4 顯示了 IPA 中 Li、P、K、Ti、As、Zr 和 Ta 的校正曲線。采用校正標準品在 ng·L-1 級水平范圍內測得的校正曲線呈現出優異的線性和靈敏度。通過三重四極桿模式和冷等離子體得到改善的干擾去除可實現更具挑戰性分析物的低背景噪聲。

2、RoHS 解決方案

賽默飛為RoHS指令中的有害物質多溴聯苯、多溴二苯醚阻燃劑、鄰苯二甲酸酯和多環芳烴等有害物質的測定提供加速溶劑萃取（ASE）前處理、氣相色譜（GC）、氣相色譜- 質譜聯用儀（GC-MS）和液相色譜儀（HPLC）等檢測技術，并提供原子吸收光譜儀（AAS）、電感耦合等離子發射光譜儀（ICP-OES）、電感耦合等離子體- 質譜儀（ICP-MS）和離子色譜儀（IC）用于測定鎘、鉛和汞，分離并測定六價鉻。具體詳情可參考《RoHS 指令檢測產品及技術——色譜質譜及光譜儀綜合解決方案》或與我們聯系。