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瑞禧供應GaSe 硒化鎵;GeBi4Te7晶體/粉體
西安瑞禧生物可以提供CuCrP2S6 晶體、CuIn7Se11 晶體、In2GaBi2S6晶體、CuInP2Se6晶體、CuInS2晶體、CuS 晶體、Fe3GeTe2晶體、FeCl2晶體、InGaS3 晶體、InSb晶體、InSe 硒化銦 （β相）、InSiTe3晶體、MnBi2Se4 晶體、MnBi4Se7 磁性拓撲絕緣體、MnBi4Te7 磁性拓撲絕緣體、MnPS3 晶體、MnPSe3 晶體、MnSb2Te4 晶體、Mo0.75W0.25Se2晶體、Mo0.95W0.05Se2晶體、MoS2 二硫化鉬、MoSe2 二硒化鉬、InGaS3 晶體、InSb晶體、InSe 硒化銦 （β相）、InSiTe3晶體、MnBi2Se4 晶體。
瑞禧供應GaSe 硒化鎵;GeBi4Te7晶體/粉體
晶體：Magnetic semiconductor，紅外半導體，拓撲材料，熱電材料
表征方法：EDS，SEM，Raman 性質分類:相變材料，金屬性層狀材料
禁帶寬度:0 eV
方法:CVT
剝離難易程度:易
保存注意事項:晶體穩定，不需要保存
[單晶純度]:> 99.99%
[規格]：注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。
[包裝]：凈袋真空包裝
[傳導類型]：N型；半絕緣型
[拋向]：單拋或雙拋
[可用表面積] gt; 90%
CoBi4Te7 磁性拓撲絕緣體
Cr2Ge2Te6 CrGeTe3 磁性拓撲絕緣體
Cr2S3晶體
Cr2Si2Te6 CrSiTe3 晶體
CrBi2Te4磁性拓撲絕緣體
CrBi4Te7 磁性拓撲絕緣體
CrI3 碘化鉻
CrTe2晶體
CuCrP2S6 晶體
CuIn7Se11 晶體
CuInP2S6晶體
CuInP2Se6晶體
CuInS2晶體
CuS 晶體
Fe3GeTe2晶體
FeCl2晶體
FeCl3三氯化鐵晶體
FePS3 晶體
FePSe3 晶體
GaGeTe晶體
GaPS4晶體
GaSe 硒化鎵
PbSe晶體
PbSnS2 晶體
PbSnSe2 晶體
PbS晶體
PdSe2 二硒化鈀
ReS2 二硫化錸
Sb2S3晶體
Sb2Te2Se晶體
Sb2TeSe2晶體
Sb16Te3晶體
SiTe2晶體
SnBi2Te4晶體
SnBi4Te7晶體
SnPS3晶體
SnPSe3晶體
SnS 硫化亞錫 晶體
SnS2 硫化錫
SnSe 硒化亞錫 晶體
SnSe2 二硒化錫
SnTe晶體
Ta2NiS5 晶體
Ta2NiSe5 晶體
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溫馨提示：西安瑞禧生物供應產品用于科研，不能用于人體（YQ2021.5）
