TGA/TH修飾CdSe/ZnS量子點(diǎn)

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TGA/TH修飾CdSe/ZnS量子點(diǎn)

CdSe納米顆粒表面缺陷較多，熒光效率較低，光致氧化的穩(wěn)定性也較差。將半導(dǎo)體材料在納米尺度上復(fù)合，獲得核殼結(jié)構(gòu)的納米半導(dǎo)體量子點(diǎn)是獲得尺寸均一，熒光效率，光致氧化的性能量子點(diǎn)的方法。

由于CdSe比ZnS具有低的導(dǎo)帶和的價(jià)帶，當(dāng)構(gòu)成核殼結(jié)構(gòu)時(shí)，在量子點(diǎn)內(nèi)的光生電子和空穴大部分將被約束在核內(nèi)，使這種核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)能顯示出的光致發(fā)光。

CdSe/ZnS 核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的制備：

在室溫中分別將醋酸鋅ZN ACE和硫化鈉ZNS溶于蒸餾水中，加熱，磁力攪拌至溶解，得到無(wú)色澄清溶液，即為Zn和S的前驅(qū)體水溶液。這兩種溶液均鮮配制。在通Ar保護(hù)下，向CdSe量子點(diǎn)溶液中緩慢加入Zn前驅(qū)體與S前驅(qū)體，磁力攪拌，100℃水浴回流，充分反應(yīng)后，即可得到黃色至粉紅色膠狀 CdSe/ZnS 核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)。樣品經(jīng)洗滌、離心沉降和冷凍干燥后，得到粉末狀的物質(zhì)。

用透射電子顯微鏡和X射線衍射儀測(cè)試核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的形貌和結(jié)構(gòu),用紫外吸收光譜與熒光光譜表征CdSe/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的熒光性能。

結(jié)論：ZnS殼層在CdSe核量子點(diǎn)表面外延,形成了核殼結(jié)構(gòu);CdSe/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的熒光性能于單一的CdSe量子點(diǎn);的工藝條件會(huì)影響CdSe/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的熒光性能。

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