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MXY8002光電技術應用開發綜合實驗平臺(配置三)
一、 產品介紹
MXY8002光電技術應用開發綜合實驗平臺針對光電器件應用開發而設計,由光學平臺、數字儀表及電子元器件平臺、線/面陣CCD相機的原理與應用及數據采集輸入輸出端口、計算機系統、線/面陣CCD相機數據采集軟件等部分構成,平臺配備各種電源接口及0-200V高壓可調電源和0-12V 低壓可調電源,可為學生搭建各種實驗電路提供電源。學生能夠利用平臺自行搭建各種光學系統、光電傳感器的變換及處理電路,完成各種關于光電技術方面的應用開發設計,從各方面提高學生的動腦動手能力及創新意識,幫助高校培養光電技術人才。
1、光學平臺
光學平臺為導磁材料,可利用磁性底座與光學配件及電子元器件搭建出幾何光學、物理光學、光電檢測與光電控制等系統,并與儀器內部的數據采集系統相結合完成各種實驗系統。
2、數字儀表、電子元器件平臺
平臺提供2塊數字電壓表(四位半),2塊數字電流表(四位半)和1塊自動更換量程的數字照度計,這些數字儀表可以應用在電路中進行各種電路參數的測量。此平臺還配備各種電阻、電容、可調電位器、二極管、三極管、集成運算放大器、光電耦合器件和現場可編程邏輯器件(CPLD)等。
3、線/面陣CCD相機的原理與應用及數據采集輸入輸出端口
平臺面板上安裝有線/面陣CCD相機的原理與應用及數據采集輸入/輸出端口,輸入端口與平臺內部的線陣CCD相機的數據采集卡與面陣CCD圖像傳感器的數據采集卡構成一整套數據采集系統,通過USB總線接入計算機,完成各種測量、振動、掃描及各種圖像采集與處理等功能軟件的開發與設計工作。輸出端口提供線/面陣相機的數字驅動信號及模擬輸出信號,學生可以通過示波器對這些信號進行觀察,從而了解線/面陣CCD的工作原理與應用,進而通過CPLD進行開發設計,提高學生動腦能力。
4、計算機功能軟件
平臺配備有各種功能軟件,包括線陣CCD尺寸測量、角度測量、位移測量、條碼識別、圖像掃描軟件,面陣CCD邊緣與輪廓檢測、物體的尺寸測量、圖像的點運算、圖像的幾何變換、圖像采集與參數設置、投影與差影圖像分析、圖像的濾波與增強、形態學處理、旋轉與縮放、顏色識別與變換等圖像處理軟件。不但提供DEMO演示軟件還提供SDK軟件開發包,供學生進行二次開發。
外形尺寸:680mm(長)×550mm(寬)×230mm(高) 重量:25kg
二、教學目的
1、了解并掌握各種光學配件及其實驗的原理和應用;
2、了解并掌握各種光電傳感器的工作原理、變換電路、處理電路;
3、了解并掌握線陣CCD的原理及其應用;
4、了解并掌握面陣CCD的原理及其應用;
5、了解CPLD的應用開發技術;
6、培養學生動腦動手能力及創新意識;
三、配置內容
1、平臺電子元器件
① 光電二極管2只;
② 光電三極管2只;
③ 光敏電阻2只;
④ 硅光電池1只;
⑤ 發光二極管R、G、B、W四色各1只;
⑥ PIN光電二極管1只;
⑦ 雪崩光電二極管(APD)1只;
⑧ 52單片機開發系統裝置;
2、平臺實驗裝置
① LED點光源裝置1支;
② 光電器件安裝裝置2件;
③ 熱釋電實驗裝置1件;
④ PSD實驗裝置1件;
⑤ 光柵莫爾條紋實驗裝置1件;
⑥ 線陣CCD相機及夾持器1套;
⑦ 線陣CCD數據采集卡1塊;
⑧ 50mm相機鏡頭1個;
⑨ 尺寸測量實驗裝置1件;
⑩ 傾角測量實驗裝置1件;
⑾ 條形碼識別實驗裝置1件;
⑿ 四象限光電傳感器及實驗裝置1套;
⒀ MXY8101 光電倍增管綜合實驗儀1臺;
3、光源配置
① 白色遠心照明光源1只;
② 650nm點型3mw半導體激光器1只;
③ 650nm線型3mw半導體激光器1只;
4、夾持器具配置
① 磁性底座4個;
② 底座支撐桿6個;
③ 一維調整架1個;
④ 二維調整架1個;
⑤ 三維調整架1個;
5、連接線配置
① 100mm連接線5顆;
② 200mm連接線5顆;
③ 300mm連接線5顆;
④ 400mm連接線5顆;
⑤ 500mm連接線5顆;
⑥ φ2.1mm插頭的連接線3顆;
⑦ 線陣CCD相機連接電纜線1顆;
6、光學元器件
① 15mm焦距雙凸透鏡1只;
② 50mm焦距雙凸透鏡1只;
③ 70mm焦距雙凸透鏡1只;
④ 100mm焦距雙凸透鏡1只;
⑤ 150mm焦距雙凸透鏡1只;
⑥ -60mm焦距透鏡1只;
⑦ 20×20×20mm色散棱鏡1只;
⑧ φ36×4半透半反鏡2只;
⑨ 物屏、像屏及支架1個;
⑩ 分劃板1支;
⑾ 10×目鏡1支
⑿ 多孔板架1個;
⒀ 可調寬度狹縫1個;
⒁ 600l/mm光柵及支撐調整架1個;
⒂ 色散棱鏡支架1臺;
⒃ 多縫板1只;
⒄ 光偏振實驗裝置1件;
⒅ 擴束鏡1個;
⒆ 刀片1片;
⒇ 干板架1個;
四、技術參數
1、平臺面板尺寸:640mm×310mm;
2、數字電壓表:精度 四位半;量程 20V,200V;
3、數字電流表:精度 四位半;量程 20mA,200mA;
4、數字照度計:自動更換量程;測量范圍 0.1~1.999×103x;
5、光電二極管:暗電流 ID=±0.1uA;光電流 IL=±80uA;峰值響應 880nm;zui高工作電壓 30V;開關時間 50/50ns;光譜范圍 400~1100nm;
6、光電三極管:集電極-發射極電壓 30V;發射極-集電極電壓 5V;集電極電流 20mA;
7、光敏電阻:暗電阻 1.0 MΩ;亮電阻 8~20 KΩ(10Lx);
8、硅光電池:開路電壓小于500mV;短路電流小于18mA;輸出電流小于16.5mA;感光面積10X10mm;
9、PIN光電二極管:反向電壓 40V;峰值波長 920nm;開路電壓 0.4V;短路電流 85uA;
10、雪崩光電二極管(APD):工作電壓 100V~150V;峰值波長(λp) 660nm;
11、四象限光電傳感器:光敏直徑 13mm;光譜響應范圍 380~1100nm;
12、光電倍增管:光譜響應范圍 300~700nm;zui大響應波長 420nm;
13、一維PSD:光敏區1mm*8mm;光譜響應范圍300-1100nm;Ev=1000LX 2856K 時,開 路電壓為0.3V,短路電流為55µA;PSD調整架:位移范圍13mm;位移精度0.01mm;
14、熱釋電器件:型號:RE200B;靈敏元面積:2.0×1.0mm2;基片材料:硅;基片厚度:0.5mm;工作波長:5-14µm;平均透過率>75%
15、光電耦合器:型號:4N35;隔離電壓:5300V ;輸入電流:10mA;輸出電壓:30V;工 作溫度范圍:-55°C to +100°C;zui大正向電流, If:60mA;正向電壓 Vf zui大:1.5V;電壓, Vceo:30V;電壓, Vf 典型值:1.3V;輸出電壓 zui大:30V;擊穿電壓 zui小:30V;電流傳遞率(CTR) zui小值:*;
16、CPLD:zui大延遲時間 tpd(1)10.0ns;電壓電源 - 內部3 V ~ 3.6 V邏輯元件/邏輯 塊數目4;宏單元數64;門數1250;輸入/輸出數34;工作溫度0°C ~ 85°C;
17、線陣CCD相機:有效像元數 2160像元;像元尺寸(μm) 14×14×14;靈敏度(V/lx.s) 45;動態范圍 1700;
18、線陣CCD數據采集卡:USB2.0接口、8位A/D數據采集系統;
19、鏡頭:焦距50mm;
20、物屏、像屏:70mm×100mm;
21、電器參數:輸入電壓 AC220V,50Hz; 功耗 200W;
22、 計算機系統配置: 19英寸液晶顯示器;內存 2.0GB;CPU速度高于2.4GHz;硬盤高于250G;USB2.0接口;防水耐用鍵盤及光電鼠標;
23、接口方式:與計算機連接接口為USB2.0總線接口方式;
24、操作軟件:操作系統與Windows2000、WindowsXP、Windows7兼容;
主機尺寸:680mm×550mm×230mm;
五、能夠完成下述實驗內容:
光電傳感器件原理與特性的實驗
1、光源發光光譜特性實驗;
2、光度輻射度參數測量的實驗;
3、光敏電阻特性參數及其測量;
4、光敏電阻伏安特性實驗;
5、光敏電阻的變換電路;
6、光敏電阻時間響應特性;
7、光電二極管光照靈敏度的測量;
8、光電二極管伏安特性的測量;
9、光電二極管時間響應特性的測量;
10、硅光電池在不同偏置狀態下的特性參數及其測量;
11、測量硅光電池在反向偏置下的時間響應;
12、光電三極管光照靈敏度的測量;
13、光電三極管伏安特性的測量;
14、光電三極管時間響應的測量;
15、光電三極管光譜特性的測量;
16、光電耦合器電流傳輸比的測量;
17、光電耦合器件伏安特性的測量;
18、光電耦合器件時間相應的測量;
19、熱釋電器件基本原理實驗;
20、熱釋電器件光譜響應的測試實驗;
21、PSD位移傳感器特性參數的測量;
22、雪崩光電二極管(APD)特性實驗;
23、PIN光電二極管特性實驗;
24、四象限光電傳感特性實驗;
25、光電倍增管陽極暗電流Id的測量;
26、光電倍增管的靈敏度Sa與電源電壓Ubb的關系;
27、光電倍增管的電流增益G的測量;
光電檢測技術實驗
1、線陣CCD原理與驅動實驗;
2、線陣CCD尺寸測量實驗;
3、光柵與莫爾條紋實驗;
4、線陣CCD角度測量實驗;
5、利用線陣CCD識別條形碼;
6、利用夫瑯和費衍射進行的測量;
現代光學實驗
1、用遠心照明光源測量薄凸透鏡的焦距;
2、位移法測量薄凸透鏡的焦距;
3、組裝顯微鏡系統;
4、組裝透射式幻燈機;
5、雙縫干涉原理與現象;
6、夫瑯和費單縫衍射原理與現象;
7、夫瑯和費圓孔衍射原理與現象;
8、菲涅耳直邊衍射實驗
9、光的偏振實驗;
二次開發實驗
(一)52單片機開發實驗
1、52單片機程序編寫實驗;
2、52單片機外圍電路設計實驗;
3、基于52單片機的數字時鐘設計實驗;
(二)CPLD應用技術方面的實驗
1、編寫與設計時鐘邏輯電路實驗;
2、編寫與設計2160像元的線陣CCD驅動電路實驗;
3、編寫與設計線陣CCD二值化數據采集系統邏輯電路;
4、編寫與設計流水線上測量通過某一工位工件數量的系統;
1、實驗指導書1本;
2、軟件:平臺軟、硬件使用手冊等內容;
3、實驗錄像光盤1套 ;
備注:客戶自行配置示波器。