溶膠凝膠法制備Sm摻雜鐵酸鉍(001)外延薄膜的相關研究

西安齊岳生物科技有限公司提供或者國產(chǎn)的薄膜，尺寸可定制；基底以及外延的薄膜；高；有關資料歡迎咨詢。同時提供二維材料；石墨烯、氮化硼、二硫化鉬、CVD生長的薄膜、晶體、異質結、薄膜（藍寶石、PET、銅膜、石英、云母、銀膜、SOI基底、Si玻璃基底）等材料。

溶膠凝膠法制備Sm摻雜鐵酸鉍(001)外延薄膜

由于通過摻雜能取得較高的壓電性能，室溫多鐵材料鐵酸鉍BiFeO3近來被越來越多作為有潛力的無鉛壓電材料而被應用。通過溶膠凝膠法在（001）單晶摻鈮鈦酸鍶SrTiO3襯底上制備了摻雜12%Sm的BiFeO3外延薄膜。通過倒易空間圖和透射電鏡確認了外延性。透射電鏡也確認了R3c和Pbam相在該薄膜中的共存。通過壓電力顯微鏡測試了薄膜從室溫到200℃的疇結構和壓電響應的變化。在110℃到170℃，疇變得活躍，疇結構發(fā)生改變。

利用脈沖激光沉積(PLD)方法在LaAlO3單晶襯底上外延生長BiFeO3，得到了菱方四方的(R-T)MPB。用壓電響應力顯微鏡(PFM)觀察到，由于四方相和菱方相的共存，材料的壓電響應有了的。類似地，Takeuchi等人在BiFeO3的A位引入了Sm、Gd和Dy等鑭系元素，從而發(fā)現(xiàn)了一個菱方正交的(R-O)MPB。假設隨著摻雜量的增加，稀土元素半徑變小將導致壓電反鐵電順電相變。MPB位于反鐵電-順電相界面。 這些工作也是基于利用PLD制備的外延薄膜和人們對稀土摻雜的BFO的興趣中激發(fā)而來的。硅襯底上多晶薄膜和摻釤的BFO塊體陶瓷的壓電響應也得到了。然而，至今還沒有直接觀察到這些材料的反鐵電行為。

在研究中，作者們制備了12%Sm摻雜的BiFeO3外延薄膜。采用溶膠-凝膠法在摻鈮的SrTiO3(001)襯底上制備薄膜。該成分對應于室溫下相結構的MPB，預計在高溫下會發(fā)生變化。為了研究該材料的性能，在室溫至200℃范圍內觀察到鐵電疇，用PFM方法局部表征了鐵電疇隨溫度的變化。除了對相位結構的觀察外，還利用switching spectroscopy PFM(ss-pfm)研究了溫度在納米尺度下對壓電響應的影響。SS-PFM顯示了鐵電向反鐵電相的相變。另外，在相邊界處發(fā)現(xiàn)了的壓電響應。

圖1(a)顯示了樣品的表面形貌，發(fā)現(xiàn)的晶界。圖1(b)顯示了12%Sm摻雜BiFeO3薄膜的XRD圖譜。薄膜和襯底的(001)衍射峰清晰可見，其它衍射峰在對數(shù)坐標下幾乎看不到。用同步輻射X射線進一步進行了RSM。HL空間中的(002)模式和HK空間中的(113)模式分別如圖1(c)和(d)所示。XRD和RSM分析表明薄膜具有的外延性能。從RSM譜圖出發(fā)，計算了12%Sm摻雜BiFeO3樣品的晶格參數(shù)：apc = bpc=3.906Å, cpc=3.958Å。由于其外延性質，a和b值與襯底SrTiO3(3.905Å)接近。在外延BiFeO3薄膜中，(113)模式沿面內(IP)方向的色散表明晶格有程度的松弛，這在外延BiFeO3薄膜中是常見的現(xiàn)象。隨著薄膜厚度的增加，晶格失配引起的壓縮應力逐漸減弱。由于夾持效應，摻雜樣品的c值比襯底大得多，而Sm3+相對于Bi3+的半徑較小，則比BiFeO3薄膜的c值小得多。

高分辨透射電鏡在薄膜-基底界面上對樣品的橫截面進行了成像，并顯示了其外延結構，如圖2(a)所示。圖2(b)示出了樣品的橫截面圖像。從這幅圖像中可以確定薄膜厚度約為140nm，樣品內部沒有檢測到晶界。圖2(c)-(e)示出了在圖2(b)所示的某些區(qū)域上進行的SAED結果。清晰的衍射圖了薄膜的外延性。襯底Nb：SrTiO3表現(xiàn)出的立方相，如圖2(c)所示。有趣的是，在薄膜中發(fā)現(xiàn)了兩種衍射模式。藍色表示的區(qū)域具有R3c對稱性，與BiFeO3相同。用紅色表示的區(qū)域顯示了1/4(011)和1/2(011)點，表明從R3c到類似PbO3相的晶格畸變，Sm或其他稀土摻雜的BiFeO3體系中也觀察到了這種模式。這兩個相的共存表明它們在這種成分中是穩(wěn)定的，并且可以很容易地相互轉換。值得一提的是，我們同時制備了14%Sm的摻雜薄膜，并且具有較高的分辨率。

西安齊岳生物提供的其他定制薄膜有哪些？

硅片上的金剛石氮化鋁薄膜

Si上鍍Al薄膜（Aluminum Film on Silicon Wafer）

Si-Al復合薄膜

Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")：

Si襯底上AlN外延薄膜

Si+SiO2+Cr+Au薄膜：

(Au,Si)/SiO2復合納米顆粒薄膜

Si/SiO2/Cr/Au復合薄膜

AL2O3+Al(0.1)Ga(0.9)N 薄膜

Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜N型不摻雜

Nb：SrTiO3+Ba1-xSrxTiO3薄膜

Ba1-xTiO3型薄膜  400nm

摻鈮SrTiO3基片 400nm單面拋光薄膜

Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜

Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜 10x10 x 0.5 mm

SrTiO3襯底上BiFeO3薄膜

Nb∶SrTiO3單晶基片上外延生長BaTiO3薄膜

Fe3O4/BiFeO3復合薄膜

Si+SiO2+Ta+Cu薄膜

Si/SiO2/Ta/Cu薄膜

Cu/Ta/SiO2/Si薄膜

Si襯底上Ta-N/Cu薄膜

Si+SiO2+Ti+Au薄膜

Si/SiO2/Cr/Au/Ti 襯底薄膜

鍍金硅片鍍鉑硅片ptPt/Ti/SiO2/Si

Si+GaN薄膜：

別稱：Si 晶圓外延 Gan 薄膜 (si + Gan 薄膜)

Si襯底上GaN薄膜

Si基GaN薄膜

Si+Cu薄膜:

多孔Si/Cu復合薄膜

Si上鍍Cu薄膜

Si基上電沉積Cu薄膜

YSZ+CeO2薄膜 30-50nm

CeO2/YSZ復合薄膜 30-50nm

CeO2/YSZ薄膜

Si+BN薄膜

Si/BN硅基氮化硼薄膜

單層氮化硼薄膜Si基底 CAS號7440-42-8

Si摻雜的c-BN薄膜

Si上的Cu外延膜

SiBN復合薄膜

FTO膜

Glass+FTO薄膜

玻璃板上涂氟氧化錫（FTO）

鍺(GOI)薄膜

體上鍺(GOI)薄膜

薄Si過渡層制備體上Ge(GOI)材料

GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜

GaAs （半）（100）晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜

GaAs/AlGaAs/GaAs薄膜

GaAs/AIGaAs壓阻薄膜

GaN系列薄膜

氮化鎵GaN/藍寶石復合襯底上蒸鍍金屬鎳(Ni)薄膜

GaN 薄膜基片

GaN外延薄膜

Ga2O3-ß膜

AL2O3+Ga2O3-ß薄膜

Ga2O3-ß晶體

2英寸ß- Ga2O3單晶襯底

Ga2O3-Al膜

Si上鍍Ge薄膜0.5-2um

生長Si—Ge薄膜10x10mm

Si基改性Ge薄膜

硅基底石墨烯膜1cm*1cm

硅基底石墨烯膜5cm*5cm

雙層石墨烯膜2cm*2cm

康寧7980玻璃上鍍ITO膜10x10x0.7mm

康寧7980上鍍ito膜(ito film on corning 7980)

InP上鍍InAlAs薄膜  摻Fe半型材料 300nm

在InP襯底上生長InAlAs/InGaAs等異質結構

InP襯底上InAlAs薄膜

InP襯底上生長InAlAs薄膜

InAlAs-InGaAs-InP

InP上鍍InGaAs薄膜 半型材料

GaAs InGaP薄膜

GaAs襯底InGaP薄膜

金屬襯底InGaP/GaAs雙結薄膜

InGaP/GaAs/InGaAs三結薄膜

InGaP/GaAs微結構材料

GaAs襯底成功制備了InGaP外延薄膜

InGaP/GaAs異質結

ITO+ZnO鈉鈣玻璃

ITO/ZnO復合材料

納米ZnO/ITO導電玻璃復合材料

ITO= 100nm，ZnO= 50nm

ITO導電玻璃襯底上沉積出透明致密ZnO薄膜

La0.7Sr0.3MnO3 + Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3復合材料

La0.7Sr0.3MnO3 + PbZr(x)Ti(1-x)O3復合材料

SrMoO4薄膜

SrMoO4薄膜（400nm）光致發(fā)光薄膜

SiO2+Pt 薄膜

SiO2∶Pt薄膜

二氧化硅/鉑復合薄膜SiO2/Pt

二氧化硅負載鉑復合薄膜催化材料

Si+SiO2+Ti+Pt薄膜

Pt/Ti/SiO2/Si基片鍍PZT膜

Pt/Ti/SiO2/Si襯底的寬波段薄膜

Pt/Ti/Si3N4/SiO2/Si基底的多層薄膜

鈣鈦礦型稀土復合氧化物LaFeO3膜

鈣鈦礦型鐵酸鑭LaFeO3薄膜

Ni襯底上的LaFeO3薄膜

LaFeO3納米晶薄膜

LaNiO3導電薄膜

Si基底LaNiO3導電薄膜10x10x0.5mm

Si基LaNiO3導電薄膜 Si/LaNiO3

以上資料來西安齊岳生物小編zhn2020.12.14，以上資料來自文獻；如有侵權；請聯(lián)系客服進行刪除.

?