碲化鉍(BiTe3)是V-VI主族元素化合物，具有較大的分子質(zhì)量,在熱電轉(zhuǎn)換，拓?fù)湫阅苎芯?相變存儲(chǔ)等領(lǐng)域有著的用。碲化鉍是目前常溫?zé)犭姴牧现袩犭娹D(zhuǎn)換性能較好的材料。

碲化鉍納米線合成步驟：

步驟一先稱取0.2 g的碲化鉍粉末放入瓷舟，將瓷舟推入清洗干凈的石英管。使瓷舟處于管式爐的熱中心位置。將1x1 cm大小的載有金-錫催化劑的硅片放在瓷舟下端16 cm處。放置好反應(yīng)前驅(qū)體和產(chǎn)物收集基片后，將石英管兩端接入氣路管道，并利用橡膠密封圈氣路的密封。

步驟二反應(yīng)加熱前需將氣路殘余的空氣除去。具體是:打開真空泵，在不通入載氣的情況下將體系壓力抽到10 Pa左右:然后打開氣體鋼瓶閥門,通過(guò)氣體流量控制器，使載氣以較大流速吹掃幾秒鐘;關(guān)閉載氣，將體系壓力再抽到10 Pa左右;將此過(guò)程重復(fù)三次，以反應(yīng)體系的空氣*被。

步驟三在完體系殘留空氣后， 打開管式爐對(duì)反應(yīng)體系進(jìn)行升溫，升溫速度速度控制在1 C/s。 同時(shí)對(duì)載氣流量進(jìn)行調(diào)節(jié)，氫氣氣流量為25 Sccm,氬氣氣流為25 Sccm.調(diào)節(jié)氣路閥門，使體系壓力升至70 KPa.

步驟四當(dāng)溫度到達(dá)480 C后，保持此溫度，反應(yīng)開始計(jì)時(shí);通過(guò)氣路閥門,反應(yīng)體系壓力穩(wěn)定在70 KPa。

步驟五反應(yīng)進(jìn)行30 min后，停止加熱并打開管式爐爐蓋，同時(shí)打開氣路閥門，將體系的壓力降至10 Pa附近;載氣氣流保持不變。反應(yīng)體系自然將至室溫。

步驟六當(dāng)體系溫度到達(dá)室溫后， 先恢復(fù)體系壓力至常壓，關(guān)閉真空泵，載氣。打開金屬法蘭，取出硅片，得到灰色的粉末狀的產(chǎn)物。

碲化鉍納米線的形貌表征及結(jié)構(gòu)分析圖

納米線TEM圖譜                     納米線HRTEM圖譜                       對(duì)應(yīng)SAED圖譜

碲化銻(Sb2Te3)及硅摻雜的晶化

碲化銻納米粒

鈧摻雜碲化銻相變材料

氟化鍶和碲化銻納米材料

碲化鉍(Bi2Te3)合金熱電材料

碲化銻(Sb2Te3)I硫系基半導(dǎo)體材料

碲化銻Sb2Te3納米粉末

Sb2Te3體系拓?fù)潴w材料

碲化銻Sb2Te3二維薄片

碲化鉍基合金(Bi2Te3,Sb2Te3,Bi2Se3)

薄膜碲化銻Bi2Te3基熱電材料

碲化鉍/碲化銻 (Sb2 Te3)合金-P型半導(dǎo)體固溶體

碲化鉍/硒化鉍(Bi2 Se3)合金-N型半導(dǎo)體固溶體

碲化銻基低維材料

碲化銀銻熱電材料

硒碲化砷As2(Se1-xTex)3 化合物

低維納米銀/Bi2Te3基熱電復(fù)合材料

二維層狀金屬碲化物[Mn(en)3]Ag2Sn2Te8

金屬三組元層狀碲化物TaNi_2Te_2的合成材料

金屬三組元碲化物CrNb_2Te_4的合成材料

多元金屬碲化物晶體的合成材料

水相碲化鎘半導(dǎo)體納米晶體

Yb:(Lu,Gd)VO4多晶粉末合成及晶體

復(fù)合堿媒介法合成棒狀碲化鎘CdTe晶體

復(fù)合堿媒介法合成立方體狀碲化鎘CdTe晶體

（尺寸均勻、粒徑較小）球狀碲化鎘(CdTe)半導(dǎo)體納米晶體

核糖核酸酶修飾的碲化鎘量子點(diǎn)(CdTe RQDs)

巰基乙胺(CA)/碲化鎘CdTe量子點(diǎn)

近球形的CA-CdTe量子點(diǎn)

碲化鎘CdTe半導(dǎo)體納米晶體

RGD偶聯(lián)RNase A-CdTe量子點(diǎn)納米探針

碲化鎘納米晶體合成表面改性熒光

可聚合表面活性劑修飾碲化鎘CdTe納米晶

碲化鎘CdTe納米晶-聚合物復(fù)合微球

碲化鎘CdTe納米晶/聚合物復(fù)合材料

碲化鎘量子點(diǎn)(CdTe QDs)/聚吡咯(PPy)納米復(fù)合物

高分子碲化鎘量子點(diǎn)復(fù)合納米粒

N-乙酰-L-半穩(wěn)定的碲化鎘量子點(diǎn)

碲化鎘納米晶體熒光微球反相微乳液

水溶性聚合物包裹碲化鎘CdTe納米晶

ZnO/碲化鎘CdTe核殼納米棒陣列

功能碲化鎘納米晶及聚合物基量子點(diǎn)熒光材料

半導(dǎo)體納米晶CdTe/聚合物復(fù)合材料

碲化鎘與硫化鉛半導(dǎo)體納米晶可控合成材料

碲化鎘量子點(diǎn)表面對(duì)氨基酚印跡聚合物

碲化鎘量子點(diǎn)/納米二氧化鈦-BSA/ctDNA材料

纖維素/碲化鎘量子點(diǎn)復(fù)合膜

發(fā)綠光的聚苯乙烯/碲化鎘CdTe復(fù)合材料

CdTe納米晶/共軛聚合物復(fù)合薄膜

碲化鎘量子點(diǎn)表面對(duì)氨基酚印跡的聚合物

硅烷化修飾碲化鎘量子點(diǎn)CdTeQDs

碲化鎘CdTe-SiO2-MIPsQDs

CdTe量子點(diǎn)表面修飾酸敏生物高分子

碲化鎘納米復(fù)合物發(fā)光二極管

復(fù)合水凝膠材料CdTe/P(NMA-co-NVP)

CdTe納米晶與聚合物混合溶液復(fù)合膜

碲化鎘納米晶熒光猝滅法測(cè)定痕量銅(Ⅱ)

CdTe/CdO·nH2O核殼納米復(fù)合粒子

碲化鎘(CdTe)納米晶標(biāo)記抗熒蒽抗體

碲化鎘納米薄膜

水溶性CdTe納米晶熒光探針

p-型碲化鎘納米線

多元醇及其復(fù)合熱溶劑合成碲化鎘納米粒

PNIPAM與CdTe熒光納米微粒復(fù)合物

水溶性碲化鎘量子點(diǎn)

發(fā)射波長(zhǎng)為546nm碲化鎘量子點(diǎn)粉末

巰基化殼聚糖修飾CdTe QDs溶液

葫蘆脲修飾碲化鎘量子點(diǎn)

高單分散性碲化鎘納米晶體

聚4-乙烯基吡啶表面改性碲化鎘量子點(diǎn)

CdTe納米晶的合成及表面修飾

CdTe/Co復(fù)合量子點(diǎn)

高發(fā)光的巰基乙酸修飾的CdTe量子點(diǎn)

碲化鎘巰基乙酸-牛血清白蛋白熒光探針CdTe@BSA

銀/二氧化鈦核殼納米顆粒熒光碲化鎘納米晶

Ag/TiO2@CdTe核殼熒光納米顆粒

硒碲化鎘合金納米晶

多晶碲化鎘(CdTe)薄膜

碲化鎘膠體半導(dǎo)體幻數(shù)量子點(diǎn)

金屬有機(jī)骨架材料固載的碲化鎘量子點(diǎn)

碲化鎘量子點(diǎn)摻雜的納米羥基磷灰石

碲溶劑溶液法生長(zhǎng)碲鋅鎘晶體

碲鋅鎘(Cd_(1-x)Zn_xTe)晶體三元化合物

碲鋅鎘Cd0.80Zn0.20Te多晶料/單晶體

碲化鎘及碲鋅鎘量子點(diǎn)

碲鋅鎘薄膜

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