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EBAC/RCI 原理和應(yīng)用-Kleindiek EBIC放大器

閱讀:1340      發(fā)布時(shí)間:2024-11-15
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EBACElectron Beam Absorbed Current

RCIResistive Contrast Imaging

芯片工藝進(jìn)入 55 納米/65 納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)后,EBAC 技術(shù)被引入并得到迅速發(fā)展。現(xiàn)如今,EBACRCI已成為芯片失效分析(failure analysis, FA)的主要工具之一,用于IC線路的短路,斷路,高阻缺陷的隔離和精確定位。

原理:

為了探測芯片的特定電路區(qū)域,EBAC 系統(tǒng)配備了納米探針和掃描電子顯微鏡 (SEM)。當(dāng)電子束primary electron beam)穿透樣品表面時(shí),電子流可通過金屬探針吸收,經(jīng)放大器放大,并通過SEM形成 EBAC 圖像。

image.png

電子流的穿透深度取決于掃描電鏡的加速電壓acceleration voltage和樣品的材料特性。電子束吸收電流流入金屬/通孔(Metal/Via)結(jié)構(gòu),然后由探頭測量。如果金屬/通孔鏈斷裂或打開,則可通過疊加在SEM圖像上的EBAC圖像的突然變化來精確定位定位。

對于某些高電阻結(jié)構(gòu)(部分于通孔連接),單個(gè)探針無法定位此類缺陷。因此,在 EBAC 技術(shù)中需要兩個(gè)探頭,即電阻對比成像(Resistive contrast imagingRCI)。


結(jié)果:

image.pngimage.png


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