EBIC (Electron Beam Induced Current)，電子束誘導的電流。
EBIC原理
EBIC圖像是通過測量穿過半導體氧化物（Oxide）和金屬（Metal）層進入pn結(jié)的電子流而產(chǎn)生的。電子束（Electron Beam）與半導體PN結(jié)區(qū)的作用產(chǎn)生的電子空穴對（electron hole pairs）在擴散電壓（diffusion voltage）的作用下分離。EBIC電流信號通過鎢探針連接到EBIC放大器上，并將EBIC電流信號放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號。當用電子束掃描樣品時，即可通過SEM獲得樣品的電流像。
(1) 電子束在半導體材料中產(chǎn)生電子-空穴對
(2) 電子和空穴在耗盡區(qū)的內(nèi)部電場中分離產(chǎn)生 EBIC 電流
(3) EBIC電流信號作為 SEM 成像系統(tǒng)的輸入信號
(4) 可對耗盡區(qū)（Depletion zone）和電氣缺陷表征
EBIC圖像解讀
在EBIC圖像中，“明/暗"區(qū)域代表PN結(jié)中n阱和P阱。灰色區(qū)域表示沒有記錄到電流的區(qū)域。通過與二次電子像的疊加，可以SEM相中看到PN結(jié)（耗盡區(qū)，Depletion zone）的位置。
EBIC結(jié)果
EBIC結(jié)果可以用于定位并觀察PN結(jié)和非破壞性電氣缺陷表征。
圖示例：EBIC in 10 nm Exynos
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