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使用Agilent ICP-MS/MS測定高純度過氧化氫中的超痕量元素
閱讀：362 發布時間：2019-10-17| 提 供 商 | 上海斯邁歐分析儀器有限公司 | 資料大小 | 383.5KB |
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過氧化氫 (H2O2) 是半導體設備制造過程中采用的重要的制程化學品之 一。H2O2 作為強氧化劑，可用于清洗硅片、去除光刻膠，并在印刷電路板 上蝕刻金屬銅。當化學品與硅片直接接觸時，必須盡可能地將痕量金屬污 染控制在低濃度，以保持器件的性能和產量。
半導體設備與材料產業協會 (SEMI) 發布了有關半導體制程化學品（包 括 H2O2）性能指標的標準 (SEMI C30-1110 – Specifications for Hydrogen Peroxide)。SEMI 5 級為高的純度級別，絕大多數雜質元素的含量不超過 10 ppt。半導體行業用于監測痕量元素污染物的標準方法是四極桿 ICP-MS (ICP-QMS)，但對于更小的器件架構和更高的器件性能的追求致使需要監 測大量更低濃度的污染物元素。因此，當前行業要求分析方法能夠在 ppt 或亞 ppt 級別的背景等效濃度 (BEC) 下分析各種痕量元素。
SEMI 標準 C30-1110 包括高純 H2O2 中允許的硫酸鹽和 磷酸鹽大濃度的性能指標，其限值為 30 ppb。該限值 相當于元素濃度為 10 ppb 的硫和磷，當前這兩種污染 物無法通過 ICP-QMS 進行測量。而近期發展起來的串聯四極桿 ICP-MS (ICP-MS/MS) 能夠獲得更低的硫、磷 檢測限，使其可以監測所有的 SEMI 元素。