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使用ICP-MS/MS 對高純度Nd2O3中的痕量稀土元素進行常規測定

閱讀:339          發布時間:2019-10-24
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含稀土元素 (REE) 的高科技產品不斷快速發展。因此,稀土元素的使 用已從玻璃拋光等成熟的應用擴展到高性能磁體、高科技催化劑、電 子、玻璃、陶瓷和合金等領域。第二豐富的 REE 為釹 (Nd),它與鐵 和硼的合金 (NIB) 是*永磁體中的重要材料,這些*永磁體常用 于車輛部件、計算機數據存儲設備、MRI 掃描儀和揚聲器中。Nd 還 用于制造玻璃吹制工和焊工使用的玻璃和安全玻璃(釹鐠混合物)。 隨著 REE 越來越多地應用于高科技產品,對所有雜質的控制顯得至 關重要。例如,高純單元素 REE 材料中存在的其他 REE 雜質可能對 終產品的功能產生影響。因此,必須嚴格控制 REE 氧化物原材料 中的雜質。

 

電感耦合等離子體質譜 (ICP-MS) 是測量痕量 REE 常用的原子光譜技術。其部分原因在于 REE 的 質譜圖相對簡單,尤其是相對于由 ICP-OES 等技 術產生的復雜的 REE 發射光譜圖。然而,ICP-MS 測定低質量數 REE 基質中的中等質量數和高質量 數 REE 雜質時面臨著較大的挑戰,因為 REE 的金 屬-氧化物 (M-O) 鍵能很高,且低質量數 REE 的氧 化物離子會與中等質量數和高質量數 REE 的 同位素發生重疊。例如,在分析高純度 Nd2O3 中 的痕量 REE 時,145Nd16OH2 + 和 146Nd16OH+ 與鏑的同位素 (163Dy+ ) 重疊,143Nd16O+ 與鋱的同位素 (159Tb+ ) 重疊,148Nd16OH+ 與鈥的同位素 ( 165Ho+ ) 重疊。雖然痕量 REE 分析物與 REE 基質的 分離可通過螯合樹脂得以實現,但是這種技術耗 時,且需要根據所研究的特定分析物和基質元素定 制分離方法。顯然,開發一種無需前處理、直接分 析各種高純度 REE 基質中痕量 REE 雜質的方法非 常重要。

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