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超小型低功耗的MEMS測量壓力傳感器tion
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詳細介紹
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歐姆龍OMRON傳感器2SMPP-03測量壓力全新
歐姆龍OMRON數字壓力傳感器的歷史可追溯到70多年前......歐姆龍OMRON數字壓力傳感器以半導體傳感器的發明為標志，整個發展過程可以分為以下四個階段：
1、發明階段（1945-1960年）
這個階段主要是以1947年雙極性晶體管的發明為標志。此后，半導體材料的這一特性得到較廣泛應用。史密斯（C.S.Smith）與1945發現了硅與鍺的壓阻效應，即當有外力作用于半導體材料時，其電阻將明顯發生變化。依據此原理制成的歐姆龍OMRON數字壓力傳感器是把應變電阻片粘在金屬薄膜上，即將力信號轉化為電信號進行測量。此階段小尺寸大約為1cm。
2、發展階段（1960-1970年）
隨著硅擴散技術的發展，技術人員在硅的（001）或（110）晶面選擇合適的晶向直接把應變電阻擴散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成較薄的硅彈性膜片，稱為硅杯。這種形式的硅杯傳感器具有體積小、重量輕、靈敏度高、穩定性好、成本低、便于集成化的優點，實現了金屬-硅共晶體，為商業化發展提供了可能。
3、商業化階段（1970-1980年）
在硅杯擴散理論的基礎上應用了硅的各向異性的腐蝕技術，擴散硅傳感器其加工工藝以硅的各項異性腐蝕技術為主，發展成為可以自動控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術，主要有V形槽法、濃硼自動中止法、陽極氧化法自動中止法和微機控制自動中止法。由于可以在多個表面同時進行腐蝕，數千個硅壓力膜可以同時生產，實現了集成化的工廠加工模式，成本進一步降低。
4、微機械加工階段（1980年至今）
上世紀末出現的納米技術，使得微機械加工工藝成為可能。通過微機械加工工藝可以由計算機控制加工出結構型的歐姆龍OMRON數字壓力傳感器，其線度可以控制在微米級范圍內。利用這一技術可以加工、蝕刻微米級的溝、條、膜，使得歐姆龍OMRON數字壓力傳感器進入了微米階段
• 在－50kPa～＋50kPa的壓力范圍內具有優異的電氣特性。
偏置電壓：－2.5±4.0mV
量程電壓：42.0±5.5mV
(額定壓力50kPa、測量電流DC100μA時)
• 長6.1×寬4.7×高8.2mm的超小型。
• 溫度影響小。
量程電壓：±3.0％FS
偏置電壓：±5.0％FS
(0～85℃、0～50kPa、測量電流DC100μA時)
• 0.2mW的低功耗。
歐姆龍OMRON傳感器2SMPP-03測量壓力全新
額定值/性能：
壓力的種類 儀表壓力
傳感方式 壓電電阻式
壓力介質 空氣
驅動方式 恒定電流驅動
驅動電流 DC100mA
壓力范圍 -50～50kPa
耐壓 -80～120kPa
大驅動電流 大DC200mA
使用環境溫度范圍 -10～100℃(不結冰、凝露)
使用環境濕度范圍 10～95％RH(不結冰、凝露)
儲存環境溫度范圍 -40～120℃(不結冰、凝露)
保存環境濕度范圍 10～95％RH(不結冰、凝露)
重量 0.17g
注1. 上述值為23℃時測量的初始值。
注2. 請勿使用空氣以外的腐蝕性氣體。
部分現貨型號：
E8F2-A01C
E8F2-A01B
E8F2-B10C
E8F2-B10B
E8F2-AN0C
E8F2-AN0B
E8F2-A01C
E8F2-A01B
E8F2-B10C
E8F2-B10B
E8F2-AN0C
E8F2-AN0B
E8F2-A01C
E8F2-A01B
E8F2-B10C
E8F2-B10B
E8F2-AN0C
E8F2-AN0B
科鎂自動化設備(上海)有限公司供應：歐姆龍變頻器、OMRON開關、歐姆龍溫控器、歐姆龍OMRON限位開關等產品，價格實惠，部分常規型號有現貨。如需采購可咨詢。我將竭誠為您服務。請您詢價采購時請備注貴公司營業執照抬頭、連系方式；您需要的品牌型號數量發給我們。我們將按順序*時間給您回復報價。
產品具體詳見：2SMPP-03 MEMS測量壓力傳感器