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GBT管的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離由于此氧化膜很薄，IGBT管的UGE 的耐壓值為 20V,在IGBT管加超出耐壓值的電壓時，會導致損壞的危險 此外，在柵極發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過 這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT管發熱乃至損壞在應用中，有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感 在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓，如果柵極回路不合適或者柵極回路*不能工作時（柵極處于開路狀態），若在主回路上加上電壓，則IGBT管就會損壞 為防止這類損壞情況發生，應在柵極一發射極之間接一只10千歐左右的電阻。此外，由于IGBT管為MOS結構，對于靜電就要十分注意 因此，請注意下面幾點：

　?。?）在使用模塊時，手持分裝件時，請勿觸摸驅動端子部分當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸；

　?。?）在用導電材料連接IGBT管的驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；

　?。?）盡量在底板良好接地的情況下操作 如焊接時，電烙鐵要可靠接地在安裝或更換IGBT管時，應十分重視IGBT管與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度，為了減少接觸熱阻，在散熱器與IGBT管間涂抹導熱硅脂，一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT管發熱，從而發生故障，因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT管的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT管工作。

　　igbt靜態參數測試系統

　　可測試IGBT參數包括ICES、BVCES、IGESF、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、

　　GFS、rCE等全直流參數，所有小電流指標保證1%重復測試精度，大電流指標保證2%以內重復測試精度。

　　主極電流可提供400A 500A 800A 1250A大電流測試選項

　　BR3500測試系統是一項高速多用途半導體分立器件智能測試系統。它具有十分豐富的編程軟件和強大的測試能力?？烧鎸崪蚀_測試達九大類二十七分類大、中、小功率的半導體分立器件。

　　一、可測試種類

　　1.二極管                           Diode

　　2.穩壓（齊納）二極管               Zener

　　3.晶體管                            Transistor（NPN型/PNP型）

　　4.可控硅整流器（普通晶閘管）        SCR

　　5.雙向可控硅（雙向晶閘管）           TRIAC

　　6.MOS場效應管                  Power MOSFET（N-溝/P-溝）

　　7.結型場效應管               J-FET （N-溝/P-溝，耗盡型/增強型）

　　8. 三端穩壓器              REGULATOR（正電壓/負電壓，固定/可變）

　　9.絕緣柵雙功率晶體管            IGBT（NPN型/PNP型）

　　10.光電耦合器                   OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型）

　　11.光電邏輯器件                         OPTO-LOGIC

　　12.光電開關管                          OPTO-SWITCH

　　13.達林頓陣列

　　14.固態過壓保護器                      SSOVP

　　15.硅觸發開關                          STS

　　16.繼電器                              RELAY（A、B、C型）

　　17.金屬氧化物壓變電阻                   MOV

　　18.壓變電阻                            VARISTO

　　19.雙向觸發二極管                      DIAC

　　二、技術參數及可實現目標

　　主極電壓：1000V                 通過內部設置可擴展到：2000V

　　主極電流：50A                         加選件可擴展到：400A/500A/1000A/1250A

　　控制極電壓：20V                     加大電流臺選件可擴展到：80V

　　控制極電流：10A                    加大電流臺選件可擴展到：40A

　　電壓分辨率：1mV

　　電流分辨率：100pA                 加小電流臺選件可擴展到：1pA

1、如何避免米勒效應?

　　IGBT操作時所面臨的問題之一是米勒效應的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門極驅動器(單電源驅動器)。門集-電極之間的耦合，在于IGBT關斷期間,高dV/dt瞬態可誘導寄生IGBT道通(門集電壓尖峰)，這是潛在的危險。

　　當上半橋的IGBT打開操作，dVCE/dt電壓變化發生跨越下半橋的IGBT。電流會流過米勒的寄生電容，門極電阻和內部門極驅動電阻。這將倒至門極電阻電壓的產生。如果這個電壓超過IGBT門極閾值的電壓，可能會導致寄生IGBT道通。

　　有兩種傳統解決方案。首先是添加門極和發射極之間的電容。第二個解決方法是使用負門極驅動。*個解決方案會造成效率損失。第二個解決方案所需的額外費用為負電源電壓。

　　解決方案是通過縮短門極-發射極的路徑,通過使用一個額外的晶體管在于門極-發射極之間。達到一定的閾值后，晶體管將短路門極-發射極地區。這種技術被稱為有源米勒鉗位,提供在我們的ACPL-3xxJ產品。你可以參考Avago應用筆記AN5314

　　2、故障保護功能有哪些?都是集成在隔離驅動器里嗎?

　　3種故障保護功能都集成到Avago的高集成柵極驅動器ACPL-33xJ里-UVLO(以避免VCC2電平不足夠時開啟IGBT)，DESAT(以保護IGBT過電流或短路)，和米勒鉗位(以防止寄生米勒電容造成的IGBT誤觸發)

　　3、在哪些應用場合需要考慮米勒效應的影響?

　　IGBT操作時所面臨的問題之一是米勒效應的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門極驅動器(單電源驅動器)。門集-電極之間的耦合，在于IGBT關斷期間,高dV/dt瞬態可誘導寄生IGBT道通(門集電壓尖峰)，這是潛在的危險。

　　當上半橋的IGBT打開操作，dVCE/dt電壓變化發生跨越下半橋的IGBT。電流會流過米勒的寄生電容，門極電阻和內部門極驅動電阻。這將倒至門極電阻電壓的產生。如果這個電壓超過IGBT門極閾值的電壓，可能會導致寄生IGBT道通。