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DDR3 SDRAM
雙向差分數據選通
寫入命令的每字節數據屏蔽
可編程突發長度為4或8
可編程CAS延遲
自動刷新和自刷新模式
OCD（駕駛員調整）
支持ODT（片上端接）
寫入調配
長期支持
DDR3 SDRAM
1.5V DDR3 SDRAM
1.35伏DDR3L SDRAM
1.5V DDR3 SDRAM汽車
1.35V DDR3L SDRAM汽車
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EDO和快速頁面模式DRAM
RLDRAM®2/3eMMC：
-錯誤空閑內存訪問
-安全功能
-縮短上市時間
-提高了系統性能
-增強模式（pSLC）
UFS：
-低壓差分信號（LVDS）信號。
-具有高速串行接口的高性能
-支持同時讀寫的全雙工接口。
-低能耗
-可靠的高級物理、鏈路和命令協議層
-支持高級功能，如深度睡眠、寫入增強、主機性能增強（HPB2.0）和對主機的限制通知。
溫度等級：
-工業溫度等級：-40至+85°C
-自動坡度：最高+105°C
ISSI eMMC產品系列提供了理想的嵌入式存儲解決方案
用于汽車、工業和醫療應用，這些應用要求很高
性能、在寬范圍的工作溫度下的耐久性，
以及長期支持。這些產品也在Industrial中提供
在100球BGA和153球BGA中均為汽車級。
eMMC集成了NAND閃存和智能e.MMC
一個JEDEC標準封裝內的控制器，提供標準
接口到主機。控制器直接管理NAND閃存，
實現諸如壞塊管理、錯誤處理（ECC）等功能，
靜態和動態損耗均衡、IOPS優化和讀取傳感。
ISSI eMMC設備支持增強模式，其中設備可以
被配置為用于更高讀/寫性能的偽SLC（pSLC），
耐久性和可靠性
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