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深圳秋山工業設備有限公司
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日本MARUWA高純氮化鋁高電絕緣性半導體封裝

參   考   價: 3550

訂  貨  量: ≥100 Kg

具體成交價以合同協議為準

產品型號ANF-A / ANF-S系列

品       牌其他品牌

廠商性質經銷商

所  在  地深圳市

更新時間:2024-10-13 09:47:14瀏覽次數:554次

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供貨周期 一個月 應用領域 環保,能源,電子/電池,電氣,綜合
日本MARUWA高純氮化鋁高電絕緣性半導體封裝 ANF-A / ANF-S系列

利用陶瓷基板技術開發出的高導熱填料,體現了氮化鋁(AlN)其材料本身具有的性能,源于精益求精的高品質材料以及成熟的一體化生產體系,并基于其穩定性與高導熱率,可以大大期待提高樹脂等產品的導熱性能。 產品廣泛用于導熱膠,導熱墊片等導熱材料(TIM)產品,以及金屬基板涂層,半導體封裝等領域。

日本MARUWA高純氮化鋁高電絕緣性半導體封裝 ANF-A / ANF-S系列 特點介紹


利用陶瓷基板技術開發出的高導熱填料,體現了氮化鋁(AlN)其材料本身具有的性能,

源于精益求精的高品質材料以及成熟的一體化生產體系,并基于其穩定性與高導熱率,可以大大期待提高樹脂等產品的導熱性能。

產品廣泛用于導熱膠,導熱墊片等導熱材料(TIM)產品,以及金屬基板涂層,半導體封裝等領域。


日本MARUWA高純氮化鋁高電絕緣性半導體封裝 ANF-A / ANF-S系列 規格參數


ANF-A 系列

粒度分布范圍窄

等方狀顆粒

高純度


ANF-S 系列

顆粒形狀接近于球形

粒度分布范圍窄

高填充率

高熱導率(約為氧化鋁粉填料的7倍)

高電絕緣性


項目 單位 A-Series S-Series

A-01-F A-05-F S-30 S-50 S80

松密度 g/? 0.36 0.66 1.50 1.65 1.65

熱導率 W/mK 180 ~ 200

電氣絕緣性 Ω/㎝ >1014

熱膨脹系數 X10-6/°C 4 ~ 5

顆粒形狀 - 等方形狀 球形

利用陶瓷基板技術開發出的高導熱填料,體現了氮化鋁(AlN)其材料本身具有的性能,

源于精益求精的高品質材料以及成熟的一體化生產體系,并基于其穩定性與高導熱率,可以大大期待提高樹脂等產品的導熱性能。

產品廣泛用于導熱膠,導熱墊片等導熱材料(TIM)產品,以及金屬基板涂層,半導體封裝等領域。






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