聯系電話
玉崎科學儀器（深圳）有限公司
中級會員·2年
- 聯系人：
- 吳小姐
- 電話：
- 192-7009-5986
- 手機：
- 19270095986
- 售后：
- 19270095986
- 傳真：
- 86-0755-26703456
- 地址：
- 龍華街道龍華大道906號電商集團7層
- 個性化：
- www.tamasakisci.cn
掃一掃訪問手機商鋪
-
SIBATA柴田科學微型泵迷你泵MP-Σ30NⅡ性能介紹：MiniPumpMP-Σ（Sigma）系列是一款小型、輕量、便攜、高性能的空氣吸引泵（氣泵、氣動泵），內置累積流量測量功能。基本型有三種不同的流量范圍：0.5L/min、3L/min、5L/min。由于吸入流量穩定，可廣泛應用于作業環境、室內環境、大氣環境等有害物質的采樣。●配備流量傳感器，直接測量吸入流量，數字顯示瞬時流量和累計流量。搭載了恒流功能，可抑制因集塵等引起吸入壓力上升而引起的吸入流量的下降。●可采用4種模式（手動、下降定時器
-
玉科代理推薦SIBATA柴田科學微型泵迷你泵MP-Σ300NⅡ
SIBATA柴田科學微型泵迷你泵MP-Σ300NⅡ性能介紹：MiniPumpMP-Σ（Sigma）系列是一款小型、輕量、便攜、高性能的空氣吸引泵（氣泵、氣動泵），內置累積流量測量功能。基本型有三種不同的流量范圍：0.5L/min、3L/min、5L/min。由于吸入流量穩定，可廣泛應用于作業環境、室內環境、大氣環境等有害物質的采樣。●配備流量傳感器，直接測量吸入流量，數字顯示瞬時流量和累計流量。搭載了恒流功能，可抑制因集塵等引起吸入壓力上升而引起的吸入流量的下降。●可采用4種模式（手動、下降定時 -
迷你泵MP-Σ500NⅡ工作原理：MiniPumpMP-Σ（Sigma）系列是一款小型、輕量、便攜、高性能的空氣吸引泵（氣泵、氣動泵），內置累積流量測量功能。基本型有三種不同的流量范圍：0.5L/min、3L/min、5L/min。由于吸入流量穩定，可廣泛應用于作業環境、室內環境、大氣環境等有害物質的采樣。●配備流量傳感器，直接測量吸入流量，數字顯示瞬時流量和累計流量。搭載了恒流功能，可抑制因集塵等引起吸入壓力上升而引起的吸入流量的下降。●可采用4種模式（手動、下降定時器、容量定時器、循環定時器
-
watson深江化成移液器NT-S2/NT-S10NT-S100
watson深江化成移液器NT-S2/NT-S10/NT-S100/NT-S200Watson移液器NEXTY-S系列的單通道移液器，以下是其相關介紹：基本參數2量程：0.2-500μL。最小刻度：0.001μL。精度：±15.0%（0.2μL時），±2.5%（2μL時）。準確度：≤8.0%（0.2μL時），≤1.0%（2μL時）。產品特點2人體工程學設計：采用薄型按鈕設計，操作輕松，減少拇指疲勞，長時間使用也不會感到不適；配備三速渦輪刻度盤，1次旋轉相當于按鈕刻度盤的3.5次旋轉，單手即可輕松 -
抽氣極限是指真空泵所能達到的低壓力值，其高低對半導體制造工藝有著多方面的具體影響，以下是詳細介紹：對光刻工藝的影響提高分辨率：光刻工藝需要高的真空度來避免光線散射。抽氣極限高（即所能達到的真空度低）時，光刻系統中殘留氣體較多，光線在傳播過程中容易與氣體分子發生散射，導致光刻圖案的分辨率下降。而抽氣極限低（可達到高真空度）能減少光線散射，使光刻圖案更加清晰，有助于實現更小尺度的芯片制造。防止透鏡污染：在高真空環境下，透鏡等光學元件表面吸附的雜質氣體少，可避免雜質在高溫或高能輻射下揮發并沉積在透鏡表
-
真空泵的抽氣速率和抽氣極限是衡量真空泵性能的兩個重要指標，它們對半導體制造工藝有著深遠影響，具體如下：抽氣速率的影響工藝效率方面縮短工藝時間：較高的抽氣速率能快速將反應腔室或處理區域的氣體抽出，使腔室迅速達到工藝所需的真空度，從而縮短每個工藝步驟的準備時間，提高生產效率。例如在化學氣相沉積（CVD）工藝中，快速達到真空度可以更快地引入反應氣體開始沉積過程。提高設備產能：對于連續型的半導體制造設備，如自動化晶圓處理生產線，抽氣速率快能使設備在單位時間內處理更多的晶圓，因為快速抽氣可以讓設備更快地進
-
真空泵的抽氣速率是指在一定時間內真空泵能夠抽出氣體的體積，它對半導體制造工藝有著多方面的重要影響，具體如下：影響工藝效率縮短工藝時間：較高的抽氣速率能快速將反應腔室或處理區域的氣體抽出，使腔室達到工藝所需的真空度，從而縮短了每個工藝步驟的準備時間。例如在化學氣相沉積（CVD）工藝中，快速達到真空度可以更快地引入反應氣體開始沉積過程，提高生產效率。提高設備產能：對于連續型的半導體制造設備，如一些自動化的晶圓處理生產線，抽氣速率快能使設備在單位時間內處理更多的晶圓。因為快速抽氣可以讓設備更快地進入下
-
真空泵在半導體制造中還有以下應用場景：化學氣相沉積（CVD）原理：通過氣態的化學物質在高溫、真空環境下發生化學反應，在半導體晶圓表面沉積一層固態薄膜。作用：真空泵用于維持反應腔室的真空環境，精確控制反應腔室的壓力，使氣態反應物能夠均勻地分布在晶圓表面，保證薄膜沉積的均勻性和一致性，同時防止雜質混入薄膜中，影響半導體器件的性能。例如，在沉積二氧化硅薄膜用于芯片的絕緣層時，需要通過真空泵將腔室壓力控制在合適范圍，以獲得高質量的絕緣薄膜。物理氣相沉積（PVD）原理：通過物理過程，如蒸發、濺射等，將金屬
