配備內置集成全自動VPD功能

可進行從 Na 到 U 的超痕量分析。 VPD-TXRF 的檢測限 (LLD) 對于 Al 達到 108 水平，對于過渡金屬達到 106 水平。從 VPD 預處理到 TXRF 測量全自動。 它還具有斜角收集VPD功能。

采用1靶3光束方式

Rigaku的方法使用三種類型的光譜晶體來提取適合待測量元素的單色X射線束，并用它來激發污染物元素。 用于測量輕元素的W-Mα射線不會激發Si，因此可以分析Na、Mg和Al。從Na到U連續進行高精度自動分析。

通過消除衍射輻射，最大限度地減少散射輻射的影響

采用抑制高次反射的光學系統和 XY-θ 驅動臺，X 射線入射方向自動選擇功能消除了來自基板的衍射線，并可在散射線干擾最小的情況下實現高信噪比測量。 可以對整個晶圓表面進行精確且高精度的微量分析。

可將坐標與異物檢查坐標數據關聯

通過將異物檢查裝置的坐標數據導入TXRF裝置，可以分析存在顆粒的位置的污染元素。 滴水軌跡搜索功能采用算法，需要快速、準確的坐標。

高速晶圓內污染篩查“Sweeping-TXRF功能"

可以使用Sweeping-TXRF方法，該方法使用直接TXRF方法在晶圓表面上進行高速測量，以揭示污染物元素的分布。 可以在短時間內對整個晶圓表面進行污染分析，而這種分析無法通過表面內的 5 或 9 個點等代表性坐標測量來捕獲。僅需50分鐘即可完成300mm晶圓整個表面5×10 10 個原子/cm 2污染的檢測。除了污染元素的分布外，還可以通過對整個表面的測量值進行積分來計算晶片表面內的平均污染濃度。

邊緣排除 0mm 無損、非接觸式污染測量“ZEE-TXRF 功能"

我們實現了晶圓邊緣附近的高靈敏度測量，這是以前使用 TXRF 方法無法測量的。 現在可以使用 TXRF 對污染集中的邊緣區域進行污染分析。

晶圓背面全自動測量“BAC-TXRF功能"

EFEM內部安裝了晶圓翻轉機器人，實現了300mm晶圓背面污染物的全自動無人測量。 與 ZEE-TXRF 功能結合使用時，可以對晶圓各部分進行全面的污染分析和評估。

SDSA點滴搜索功能

它配備了SDSA功能（Square Drop Search Algorism），可以快速準確地搜索VPD收集后受污染的干燥痕跡的位置坐標。

兼容 300mm 晶圓廠

Fab配備標準FOUP/SMIF接口，兼容300mm/200mm晶圓。 它還支持各種AMHS，并通過支持主機和SECS/GEM協議來支持CIM/FA。