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玉崎科學半導體設備理學Rigaku高精度射線
玉崎科學半導體設備理學Rigaku高精度射線
TSAXS 是一種用于 CD 測量的在線小角度 X 射線散射方法。
兼容最大 300 毫米的晶圓
端器件微形狀（淺圖案/深圖案）測量設備
可以對納米結構進行無損測量，例如橫截面輪廓、深度、形狀和坡度。獲得反映橫截面形狀的 X 射線衍射圖像。
我們提供一系列適合各種形狀半導體器件的設備。
可以非破壞性地測量納米結構，例如橫截面輪廓、深度、形狀和坡度。
無需任何事先準備（例如文庫）即可開始測量和分析。準確測量抗蝕劑等有機材料，無收縮。
使用 TSAXS 進行深孔無損測量
疊加 TSAXS 和橫截面掃描電子顯微鏡 (SEM)
TSAXS 側壁 TiN 薄膜的厚度分布
晶圓平面內CD和面內傾斜角的分布
深度方向CD剖面
| 方法 | 小角 X 射線散射 - 透射模式 (TSAXS) | |
|---|---|---|
| 目的 | 高深寬比 (HAR) 結構的關鍵尺寸測量 | |
| X射線源 | 旋轉陽極陰極（Mo Ka，17.4 keV） | |
| X射線光學系統 | 多層鏡光學系統 | |
| X射線探測器 | HyPix 6000HE (2D) | |
| 主要部件 | 圖案化晶圓的測量 周期性微小 3D 形狀 深孔/柱結構 DRAM、3D-NAND、3D LSI 結構 | |
| 特征 | 模式識別和全晶圓映射 | |
| 選項 | GEM300 軟件，E84/OHT 支持 | |
| 機身尺寸 | 4020（寬）×2500（深）×3450（高）毫米 | |
| 測量目標 | 節距、CD、高度、側壁厚度、SWA（側壁角度）、RT（圓頂）、RB（圓底）、CD分布、節距分布、高度分布 | |
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