原子層沉積設備（ALD）為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應，將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。原子層沉積設備2通過ALD循環的次數，緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統為150~350oC)。

SYSKEY的系統可以精準的控制ALD的製程，薄膜的厚度和均勻度皆小於+/- 1％。

厚度均勻度（WIW）：

原子層沉積設備單個12英寸晶圓用於沉積目標厚度為5nm的Al2O3和HfO2膜。使用橢偏儀進行27點厚度測量並輸入標準偏差公式。在±0.5nm範圍內和均勻度的5％以內。

介電常數和功函數：

準備三個矽晶片，並以固定的厚度沉積Al2O3/ TiN和化學氧化物/ HfO2/ TiN。原子層沉積設備2測量三個樣品的CV圖以計算介電常數和洩漏電流：介電常數應為7?9（Al2O3）和18?22（HfO2），並且洩漏電流小於1 nA（@ 1V）。