燒結法制備ＣＺＴＳ

銅鋅錫硫（ＣＺＴＳ）作為一種直接帶隙Ｐ型半導體，其吸收效率大于１０６　ｍ－１，帶隙為１．５ｅＶ［１－３］．與銅銦

鎵硒（ＣＩＧＳ）和ＧａＡｓ等半導體相比具有很多優勢，因而得到廣泛關注．Ｉｎ，Ｇａ，Ａｓ等元素或者儲量少，或者

有毒，又或成本太高，而Ｚｎ和Ｓｎ在自然界中儲量豐富，低毒，對環境友好，而且ＣＺＴＳ在光學特性上類似于

ＣＩＧＳ，具有合適的直接帶隙和高的吸收系數，所以ＣＺＴＳ是當前一種很有發展前景的光伏半導體材料［４－８］．

ＣＺＴＳ的合成方法有很多，例如：溶劑熱方法、熱注入法、溶膠凝膠法、電化學法、超生化學法等等［９－１４］，

但這些方法操作過程復雜，同時所用試劑，如油胺、乙酰丙酮鋅、乙酰丙酮銅、硫代乙酰胺、醋酸錫、甲苯、乙二胺、二苯醚等，成本較高，且有些還有毒性，zui終得到的ＣＺＴＳ產量也很低，產業化可能性不大．燒結法是制備材料zui常見的方法之一．工藝上講，它可以避免以上諸多缺點，是一種成本低、方法簡單，產量高，而且相對較為安全．燒結過程中可以適當調整溫度，選取毒性很低或無毒試劑，對人體和環境不至于構成太大危害．目前，在ＣＺＴＳ的制備過程中，還沒有人嘗試用燒結法去制備ＣＺＴＳ納米材料．本文我們采用燒結法，通過調節燒結溫度和燒結時間對合成ＣＺＴＳ納米材料的晶體結構和形貌進行了比較研究．