1. SONOSYS兆聲波噴嘴在半導體清洗中的應用環節

• 光刻后清洗：去除光刻膠殘留和光刻過程中產生的微小顆粒。
• 蝕刻后清洗：去除蝕刻過程中產生的副產物和殘留物。
• 薄膜沉積后清洗：去除沉積過程中產生的顆粒和雜質。
• 晶圓表面清洗：在晶圓制造的各個階段，去除表面的有機物、無機物和納米級顆粒。
• 晶圓背面清洗：去除背面的顆粒和殘留物，確保晶圓的整體潔凈度。

2. 具體應用步驟

（1）設備準備

• 兆聲波噴嘴：選擇合適的兆聲波噴嘴頻率（如1 MHz、2 MHz、3 MHz、4 MHz或5 MHz），根據晶圓的材料和污染物類型選擇合適的頻率。
• 清洗液：通常使用去離子水（DI Water）或專用的半導體清洗液。
• 清洗設備：配備SONOSYS兆聲波噴嘴的清洗系統，確保系統能夠提供穩定的高頻振動和液體流動。

（2）預處理

• 晶圓檢查：在清洗前對晶圓進行檢查，記錄表面的污染物類型和分布情況。
• 初步清潔：如果晶圓表面有明顯的顆粒或污染物，可以先用軟布或刷子輕輕擦拭，去除大顆粒污染物。

（3）兆聲波清洗

• 噴嘴安裝：將SONOSYS兆聲波噴嘴安裝在清洗設備上，確保噴嘴的噴射方向能夠覆蓋晶圓的各個部位。
• 液體循環：啟動清洗系統，使清洗液在晶圓表面循環流動。兆聲波噴嘴產生的高頻振動會通過清洗液傳遞到晶圓表面，產生空化效應，去除表面的微小顆粒和污染物。
• 清洗時間：根據晶圓的污染程度和材料特性，調整清洗時間。一般來說，清洗時間在5到30分鐘之間。對于高精度清洗，可能需要更長的時間。
• 溫度控制：在清洗過程中，控制清洗液的溫度。通常，清洗液的溫度在20℃到40℃之間。
• 頻率調整：根據晶圓表面的污染物類型，選擇合適的兆聲波頻率。例如，高頻（如4 MHz或5 MHz）適用于清洗納米級顆粒，低頻（如1 MHz或2 MHz）適用于清洗較大顆粒。

（4）后處理

• 漂洗：使用去離子水對晶圓進行漂洗，去除殘留的清洗液和污染物。
• 干燥：使用氮氣或干燥設備將晶圓表面吹干，確保沒有水分殘留。
• 檢查：使用光學檢測設備檢查晶圓表面的清潔度，確保清洗效果符合要求。

3. SONOSYS兆聲波噴嘴的優勢

• 高頻范圍：SONOSYS的兆聲波噴嘴提供從400 kHz到5 MHz的多種頻率選擇，能夠滿足不同材料和污染物的清洗需求。
• 無接觸清洗：通過流動液體將能量傳遞到晶圓表面，避免了傳統清洗方式可能對敏感表面造成的機械損傷。
• 高效清洗：高頻振動和空化效應能夠高效去除納米級顆粒，清洗效的果的顯的著優于傳統超聲波清洗。
• 多種噴嘴設計：提供單噴嘴、雙噴嘴和三噴嘴等多種設計，可以根據清洗對象的形狀和面積進行選擇。
• 節能高效：相比傳統清洗方式，能耗更低，同時清洗效果更佳。
• 定制化服務：根據客戶的特殊需求提供定制化噴嘴設計，確保客戶獲得最的適的合其應用的清洗解決方案。

4. 實際案例

5. 注意事項

• 頻率選擇：根據晶圓的材料和污染物類型選擇合適的兆聲波頻率。
• 清洗液選擇：確保清洗液對晶圓材料無腐蝕性。
• 定期維護：定期檢查兆聲波噴嘴和清洗設備的性能，確保其正常運行。
• 安全操作：操作人員應遵守安全規程，佩戴適當的防護裝備。