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半導(dǎo)體芯片做高低溫沖擊試驗(yàn)測試

來源:東莞市皓天試驗(yàn)設(shè)備有限公司   2025年04月16日 11:47  

以下是關(guān)于半導(dǎo)體芯片進(jìn)行高低溫沖擊試驗(yàn)的詳細(xì)說明,涵蓋測試目的、標(biāo)準(zhǔn)、流程、參數(shù)設(shè)置及常見問題分析:


1. 試驗(yàn)?zāi)康?/strong>

半導(dǎo)體芯片的高低溫沖擊試驗(yàn)(Thermal Shock Testing)主要用于評估其在溫度快速變化環(huán)境下的可靠性,驗(yàn)證以下性能:

  • 材料兼容性:芯片封裝材料、焊點(diǎn)、基板的熱膨脹系數(shù)匹配性。

  • 結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性:溫度驟變導(dǎo)致的機(jī)械應(yīng)力是否引發(fā)開裂、分層(Delamination)。

  • 電氣功能:溫度沖擊后電性能參數(shù)(如漏電流、導(dǎo)通電阻)是否漂移。


2. 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

  • 國際標(biāo)準(zhǔn)

    • MIL-STD-883H Method 1011:軍工芯片測試規(guī)范。

    • JEDEC JESD22-A104:半導(dǎo)體器件溫度循環(huán)/沖擊通用標(biāo)準(zhǔn)。

    • AEC-Q100(汽車電子):要求更嚴(yán)苛的溫度沖擊(如-55℃?+150℃)。

  • 自定義條件:根據(jù)芯片應(yīng)用場景調(diào)整(如消費(fèi)類芯片可能放寬至-40℃?+125℃)。


3. 試驗(yàn)設(shè)備與參數(shù)設(shè)置

設(shè)備類型

  • 兩箱式冷熱沖擊箱:高溫箱與低溫箱獨(dú)立,樣品通過吊籃快速轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換時(shí)間≤10秒)。

  • 三箱式?jīng)_擊箱:預(yù)熱區(qū)、測試區(qū)、制冷區(qū)集成,適合極小樣品或超快速溫變。

關(guān)鍵參數(shù)

參數(shù)典型值/要求說明
溫度范圍-65℃ ~ +150℃汽車/軍工芯片需更寬范圍
駐留時(shí)間(Dwell)15~30分鐘確保樣品內(nèi)外溫度均衡
轉(zhuǎn)換時(shí)間(Transfer)≤5秒(兩箱式)避免溫度恢復(fù)影響測試嚴(yán)酷度
循環(huán)次數(shù)50~1000次(根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求)汽車芯片常要求500~1000次
溫度梯度>40℃/min(部分設(shè)備可達(dá)60℃/min)模擬環(huán)境瞬時(shí)變化

4. 試驗(yàn)流程

  1. 預(yù)處理

    • 芯片進(jìn)行電性能測試(如IV曲線、功能測試),記錄初始數(shù)據(jù)。

    • 清潔樣品表面,避免污染物干擾。

  2. 試驗(yàn)設(shè)置

    • 按標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定高低溫極值、駐留時(shí)間、循環(huán)次數(shù)。

    • 樣品安裝時(shí)需避免機(jī)械應(yīng)力(如懸空固定或使用低應(yīng)力夾具)。

  3. 執(zhí)行測試

    • 自動(dòng)循環(huán)高低溫沖擊,實(shí)時(shí)監(jiān)控箱體溫度及轉(zhuǎn)換時(shí)間。

  4. 中間檢測

    • 每50~100次循環(huán)后取出樣品,進(jìn)行電性能測試和外觀檢查。

  5. 失效分析

    • 試驗(yàn)結(jié)束后,通過聲學(xué)掃描顯微鏡(SAM)檢測分層,X射線觀察焊點(diǎn)裂紋,SEM/EDS分析腐蝕或材料失效。


5. 常見失效模式

  • 封裝失效

    • 塑封料與芯片界面分層(CTE不匹配)。

    • 焊球/焊點(diǎn)開裂(如BGA封裝)。

  • 電氣失效

    • 金線斷裂導(dǎo)致開路。

    • 濕氣侵入引線框架導(dǎo)致腐蝕漏電。

  • 材料老化

    • 基板(如FR4)樹脂脆化。

    • 導(dǎo)熱界面材料(TIM)剝離。


6. 注意事項(xiàng)

  • 避免冷凝水:低溫向高溫轉(zhuǎn)換時(shí),芯片表面可能結(jié)露,需確保設(shè)備具備除濕功能或增加預(yù)熱步驟。

  • 溫度均勻性:大尺寸芯片或多樣品同時(shí)測試時(shí),需驗(yàn)證箱內(nèi)溫度分布均勻性(±2℃內(nèi))。

  • 數(shù)據(jù)記錄:建議全程記錄溫度曲線,以便復(fù)現(xiàn)問題。


7. 應(yīng)用案例

  • 車規(guī)級(jí)MCU芯片

    • 測試條件:-55℃(30min)?+150℃(30min),500次循環(huán)。

    • 驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn):功能正常,焊點(diǎn)裂紋長度<10%焊球直徑。

  • 消費(fèi)類存儲(chǔ)芯片

    • 測試條件:-40℃?+125℃,200次循環(huán)。

    • 重點(diǎn)關(guān)注:數(shù)據(jù)讀寫穩(wěn)定性與擦寫壽命變化。


8. 試驗(yàn)結(jié)果解讀

  • 通過標(biāo)準(zhǔn):電性能參數(shù)變化<±10%,無機(jī)械損傷或功能異常。

  • 失效判定:若出現(xiàn)開路、短路、參數(shù)超差,需結(jié)合失效分析優(yōu)化設(shè)計(jì)(如改進(jìn)封裝材料、調(diào)整焊球布局)。


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