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當(dāng)前位置：九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司>>產(chǎn)品展示>>遷移和少子>>霍爾遷移率測(cè)試儀
在霍爾效應(yīng)傳感器中，自由電子的移動(dòng)能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動(dòng)難易程度的關(guān)鍵指標(biāo)。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間詳情介紹?我公...
在霍爾效應(yīng)傳感器中，自由電子的移動(dòng)能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動(dòng)難易程度的關(guān)鍵指標(biāo)。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間
霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數(shù)RH與?電導(dǎo)率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱?。其表達(dá)式為μH =│RH│σ。?12定義和計(jì)...
霍爾遷移率測(cè)試儀主要利用微波測(cè)試原理，非接觸式測(cè)量射頻HEMT結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的方阻、遷移率及載流子濃度。可實(shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，具有快速，無(wú)...
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