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碳化硅半絕緣片電阻率測試2025/4/12

半絕緣碳化硅與導電性碳化硅在電特性和應用領域上差異顯著。半絕緣碳化硅，作為一種電阻率較高的材料，其電阻率范圍通常在10^5-10^12Ω.cm，非常適用于高溫、高電壓環境，如電力電子設備和電動汽車部件...

非接觸電阻率測試儀：電氣材料特性的新一代測量工具2025/2/28

非接觸電阻率測試儀是一種先進的電氣測量工具，旨在精準測量材料的電阻率而無需與樣品直接接觸。這種儀器在電子、材料科學、電氣工程和環保監測等領域具有廣泛應用。隨著科技進步和市場需求的增加，應用場景正在不斷...

九域半導體科技通過知識產權貫標2025/2/8

知識產權貫標?是指企業貫徹《企業知識產權管理規范》國家標準的過程。該標準由國家知識產權局制訂，并經由國家質量監督檢驗檢疫總局、國家標準化管理委員會批準頒布，于2013年3月1日起實施，標準號為GB/T...

渦流法少子壽命原理2024/12/7

即少數載流子壽命。光生電子和空穴從一開始在半導體中產生直到消失的時間稱為壽命。載流子壽命就是指非平衡載流子的壽命。而非平衡載流子一般也就是非平衡少數載流子（因為只有少數載流子才能注入到半導體內部、并積...

薄膜方塊電阻的測試方法2024/11/30

方塊電阻測試儀在薄膜或薄層半導體材料中的應用方塊電阻測試儀是一種用于測量半導體材料電阻率的儀器，通常用于涂層和薄膜半導體材料的電阻率測量。這種儀器能夠測量樣品的電導率和電阻率，以及材料的載流子濃度和遷...

無損方塊電阻測試具有哪些特點？2024/11/23

方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關，其單位為Siements/sq，后增加...

對非接觸霍爾遷移率認識2024/11/16

?非接觸霍爾遷移率?是指通過非接觸霍爾效應測量技術獲得的遷移率值。霍爾遷移率（Hallmobility）是Hall系數RH與電導率σ的乘積，即μH=│RH│σ?12。這種遷移率與傳統的范德堡霍爾測試法...

渦流法電阻率方阻CE認證重要性2024/11/15

CE認證，即只限于產品不危及人類、動物和貨品的安全方面的基本安全要求，而不是一般質量要求，協調指令只規定主要要求，一般指令要求是標準的任務。因此準確的含義是：CE標志是安全合格標志而非質量合格標志。是...

非接觸電阻率測試儀有哪些特點值得我們選擇？2024/11/11

非接觸電阻率測試儀主要基于電磁感應原理來測量材料的電阻率。其基本原理是通過在被測材料附近產生一個交變磁場，該磁場會在材料中感應出渦流。渦流的大小與材料的電阻率、磁導率以及磁場的頻率等因素有關。通過測量...

碳化硅的電阻率測試2024/11/9

碳化硅半導體材料屬Ⅳ族化合物半導體。為共價鍵晶體，有閃鋅礦型和鉛鋅礦型兩種結晶形式。?碳化硅的電阻率范圍?通常在0.005Ω·cm到200Ω·cm之間。?測量方法?非接觸渦流法?是一種常用的測量導電碳...

少子壽命2024/10/17

少子壽命的定義和重要性?12?少子壽命?是指?光生電子和空穴從一開始在?半導體中產生直到消失的時間。它是半導體材料和器件的一個重要參數，直接影響器件的性能。少子壽命越長，器件的性能越好。影響少子壽命的...

非接觸式霍爾遷移率2024/10/17

??霍爾遷移率（Hallmobility）是指?Hall系數RH與電導率?σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱，故特別稱為霍爾遷移率。?表示為μH=│RH│σ。?12霍爾遷移率μH實際上不一定等于...

非接觸式方阻測試2024/10/17

方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關，其單位為Siements/sq，后增加...

渦流法電阻率測試2024/10/17

渦流法電阻率是一種非接觸式的測量方法，主要用于測量材料的電阻率而不會損傷被測物體的表面。?這種方法基于電磁感應原理，通過檢測材料中的渦流來評估其電阻率。渦流法電阻率測量技術的原理是：當交變電流通過導體...