晶錠渦流法電阻率測試儀可以通過渦流測量高精度和分辨率為1毫米的方式來測量晶圓片或晶塊的電阻率。由于距離相關的內部布局矩陣，渦流傳感器有一個非常好的長期穩定性因此，每個電阻率圖都是測量表面接地度的幾何圖。電阻率可與少數負載流子消耗和光電導率圖同時測量。在進行電阻測量時，需要用戶提供樣品的厚度。

晶錠渦流法電阻率測試儀技術參數：

步徑≥1mm

邊緣：12mm

電阻率片厚：150-250μm

電阻率范圍

默認設置：0.5-5 Ohm cm

準確度：<3%

重復性：<1%(范圍從0.5-3 Ohm cm)

為了研究發射極擴散的均勻性，有可能出現較弱的發射極的方阻。基礎的電阻率由用戶給出。

方阻測量范圍為0.1-200 Ohm/sq。

以標準樣品量下的準確度，

0.1-10 Ohm/sq：<3%精度

10-100 Ohm/sq：<3%精度

100-200 Ohm/sq：<3%精度