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?少子壽命?是指?光生電子和空穴從一開始在?半導體中產生直到消失的時間。它是半導體材料和器件的一個重要參數,直接影響器件的性能。少子壽命越長,器件的性能越好。
影響少子壽命的因素主要包括有害的雜質和缺陷。去除這些雜質和缺陷可以延長少子壽命,而加入能夠產生復合中心的雜質或缺陷則會縮短少子壽命。例如,摻入?Au、?Pt或采用高能粒子束轟擊等都會減少少子壽命。
少子壽命的測試采用了?準穩態光電導(?QSSPC)等方法,可以靈敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應等缺陷情況。這種測試方法在?太陽能電池的研發和生產過程中被廣泛選用,用于監控和優化制造工藝。
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